在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长

发明授权

CN110402477B 在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长有权

摘要：

本文提供了用于在硅或金属表面上选择性地沉积对氧化硅或氮化硅材料有选择性的含硅介电材料或含金属介电材料的方法和装置。方法涉及将衬底暴露于可与不期望沉积的氧化硅或氮化硅材料反应的酰氯，以形成阻止在氧化硅或氮化硅材料上沉积的酮结构。在沉积所期望的含硅介电材料或含金属的介电材料之前，进行酰氯的暴露。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理