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公开(公告)号：CN108597983B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201810189335.0
申请日：2018-03-08
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 大卫·查尔斯·史密斯 , 丹尼斯·M·豪斯曼
摘要： 本发明利用催化剂控制在氧化硅上选择性沉积氮化硅。本文提供了用于相对于暴露的硅表面在衬底的暴露的氧化硅表面上选择性沉积氮化硅的方法和装置。技术涉及向衬底提供三甲基铝以在暴露的氧化硅表面上形成含铝部分，并且使用交替脉冲的氨基硅烷和肼通过热原子层沉积在表面上选择性地沉积氮化硅，相对于暴露的硅表面所述热原子层沉积在暴露的氧化硅表面上由含铝部分催化。另外的技术涉及向暴露的氧化硅表面提供含过渡金属的气体以形成含过渡金属部分，所述含过渡金属部分在使用交替脉冲的氨基硅烷和肼来热原子层沉积氮化硅期间充当催化剂。
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公开(公告)号：CN105463408B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510642077.3
申请日：2015-09-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 钱俊 , 弗兰克·L·帕斯夸里 , 阿德里安·拉沃伊 , 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 康胡 , 尚卡尔·斯瓦米纳坦 , 普鲁肖塔姆·库马尔 , 弗兰岑·保罗 , 特伦格·T·勒 , 阮途安 , 詹尼弗·L·彼得拉利亚 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 塞沙萨绮·瓦拉达拉简
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。实施例涉及在衬底上沉积膜的方法、装置和系统。在这些实施例中，衬底是按批处理的。由于处理批衬底中的另外衬底时反应室内的条件变化，在整个批衬底处理期间各种膜的性能可能有趋向性。本发明公开了用于使整个分批处理期间的膜的性能的趋向性最小化的方法和装置。更具体地，通过改变在整个分批处理期间用于处理衬底的RF功率的量，使膜的性能趋向性最小化。这样的方法有时被称为RF补偿法。
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公开(公告)号：CN105714272B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201510969185.1
申请日：2015-12-21
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 普鲁沙塔姆·库马尔 , 康胡 , 阿德里安·拉瓦伊 , 赵伊春 , 弗兰克·L·帕斯夸里 , 钱俊 , 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 尚卡·斯瓦米纳森 , 卡尔·F·李瑟 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 威-吉·赖
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及用于提高膜均匀性的装置和方法，本发明已经构思了用于在衬底处理装置中使用的多阶段工艺气体输送系统。在某些实施方式中，第一工艺气体可以首先被输送到在衬底处理室中的衬底上。在稍后的时间，第二工艺气体可被输送到衬底以促进衬底的均匀投配。可以在相同的时间停止或在不同的时间停止第一工艺气体和第二工艺气体的输送。
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公开(公告)号：CN105463408A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510642077.3
申请日：2015-09-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 钱俊 , 弗兰克·L·帕斯夸里 , 阿德里安·拉沃伊 , 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 康胡 , 尚卡尔·斯瓦米纳坦 , 普鲁肖塔姆·库马尔 , 弗兰岑·保罗 , 特伦格·T·勒 , 阮途安 , 詹尼弗·L·彼得拉利亚 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 塞沙萨绮·瓦拉达拉简
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。实施例涉及在衬底上沉积膜的方法、装置和系统。在这些实施例中，衬底是按批处理的。由于处理批衬底中的另外衬底时反应室内的条件变化，在整个批衬底处理期间各种膜的性能可能有趋向性。本发明公开了用于使整个分批处理期间的膜的性能的趋向性最小化的方法和装置。更具体地，通过改变在整个分批处理期间用于处理衬底的RF功率的量，使膜的性能趋向性最小化。这样的方法有时被称为RF补偿法。
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公开(公告)号：CN113196451A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980084282.9
申请日：2019-10-08
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿希尔·辛格哈尔 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 在高温将原位保护性涂层沉积在反应室的室部件的表面上。原位保护性涂层可以在高于约200℃的温度下沉积，以提供对特定类型的卤素化学品(例如基于氟的物质、基于氯的物质、基于溴的物质、或基于碘的物质)有抗性的高质量涂层。可将后续的涂层或层沉积于原位保护性涂层上，其具有与下伏的原位保护性涂层不同的蚀刻选择性。可将原位保护性涂层沉积在整个反应室以沉积在室部件的表面上，包含沉积在室壁上。
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公开(公告)号：CN111247269A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201880067801.6
申请日：2018-08-17
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 丹尼斯·M·豪斯曼 , 亚历山大·R·福克斯 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 巴特·J·范施拉文迪克
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/32 , H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 提供了用于在图案化特征的侧壁表面上选择性地沉积材料的方法。在一些实施方案中，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有从所述衬底的表面凹陷的特征。所述特征具有底部和从所述底部延伸的侧壁。使用原子层沉积(ALD)处理在所述特征上沉积保形膜。通过使所述衬底暴露于定向等离子体而使沉积在所述底部上的所述保形膜改性，使得在所述底部上的所述保形膜比在所述侧壁上的所述保形膜较不致密。优先对于沉积在所述特征的所述底部上的已改性的所述保形膜进行蚀刻。还提供了用于在图案化的特征的水平表面上选择性沉积的方法。
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公开(公告)号：CN105714272A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510969185.1
申请日：2015-12-21
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 普鲁沙塔姆·库马尔 , 康胡 , 阿德里安·拉瓦伊 , 赵伊春 , 弗兰克·L·帕斯夸里 , 钱俊 , 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 尚卡·斯瓦米纳森 , 卡尔·F·李瑟 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 威-吉·赖
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及用于提高膜均匀性的装置和方法，本发明已经构思了用于在衬底处理装置中使用的多阶段工艺气体输送系统。在某些实施方式中，第一工艺气体可以首先被输送到在衬底处理室中的衬底上。在稍后的时间，第二工艺气体可被输送到衬底以促进衬底的均匀投配。可以在相同的时间停止或在不同的时间停止第一工艺气体和第二工艺气体的输送。
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公开(公告)号：CN109906498B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201780064178.4
申请日：2017-09-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 威廉·T·李 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 大卫·查尔斯·史密斯 , 迈克尔·达内克 , 帕特里克·A·范克利蒙布特 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉
摘要： 在直接沉积具有很多层的OMOM叠层时，在单个工具中，甚至在单个工艺室中，高效集成顺序沉积电介质和导体的交替层，例如氧化物/金属或金属氮化物，例如SiO2/TiN的交替层提高了产量而不影响质量。可以实现在相同处理工具或室中至少20个导体/电介质膜对的叠层的导体和电介质膜沉积，而不破坏膜沉积之间的真空，使得导体和电介质膜沉积之间没有实质的交叉污染。
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公开(公告)号：CN116970921A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310696264.4
申请日：2018-03-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 大卫·查尔斯·史密斯 , 丹尼斯·M·豪斯曼
摘要： 本文提供了用于在硅或金属表面上选择性地沉积对氧化硅或氮化硅材料有选择性的含硅介电材料或含金属介电材料的方法和装置。方法涉及将衬底暴露于可与不期望沉积的氧化硅或氮化硅材料反应的酰氯，以形成阻止在氧化硅或氮化硅材料上沉积的酮结构。在沉积所期望的含硅介电材料或含金属的介电材料之前，进行酰氯的暴露。
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公开(公告)号：CN110402477B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880017320.4
申请日：2018-03-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 大卫·查尔斯·史密斯 , 丹尼斯·M·豪斯曼
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本文提供了用于在硅或金属表面上选择性地沉积对氧化硅或氮化硅材料有选择性的含硅介电材料或含金属介电材料的方法和装置。方法涉及将衬底暴露于可与不期望沉积的氧化硅或氮化硅材料反应的酰氯，以形成阻止在氧化硅或氮化硅材料上沉积的酮结构。在沉积所期望的含硅介电材料或含金属的介电材料之前，进行酰氯的暴露。
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