本发明公开了一种直接转换X射线探测材料的制备方法，用于解决现有方法难以直接在TFT直接沉积CdZnTe多晶薄膜的技术问题。技术方案是采用布里奇曼法生长Cd1‑xZnxTe多晶锭切片作为生长源。将TFT衬底和生长源放入生长腔室，通过石英柱子调整好生长源与衬底之间的距离，关闭炉门，先开启机械泵抽真空，使腔室内真空度小于10pa，开启分子泵调节室内气压。开启水冷和温度控制系统，缓慢升温到设定温度，低温形核，采取重复生长方式，防止TFT衬底损坏，生长结束后，缓慢降温到一定温度然后自然冷却，由于采用了低温形核和重复生长方式，解决了背景技术方法难以直接在TFT衬底上真空沉积CdZnTe多晶薄膜问题。