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公开(公告)号：CN113506838A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110672189.9
申请日：2021-06-17
申请人： 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/02 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/58
摘要： 本发明涉及一种基于SnO2缓冲层Sb2Se3太阳能电池的制备方法，选用磁控溅射法沉积SnO2薄膜，近空间升华法CSS沉积Sb2Se3薄膜，并对SnO2薄膜和Sb2Se3薄膜分别进行退火改性，最后制备出了FTO/SnO2/Sb2Se3/Au顶衬结构的薄膜太阳能电池器件。磁控溅射法与喷雾热解法、低温热解法相比，制备的SnO2薄膜更加致密，纯度更高，重复性更好，厚度可控，在高真空腔室下溅射有效的避免了杂质的引入，制备的薄膜均匀性更好且不会产生废液和任何有害气体；CSS是一种将源材料加热使其快速升华并且在衬底上沉积薄膜的一种制备方法，CSS源的利用率高、工艺简单、重复性好、膜层纯度高，因此CSS制备的Sb2Se3薄膜更加适合商业化生产。
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公开(公告)号：CN113419269A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110605191.4
申请日：2021-05-31
申请人： 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院
IPC分类号： G01T1/16
摘要： 本发明涉及一种具有高能量分辨特征的环形伽马射线探测器，包括阳极和阴极，其中探测器阳极中心设有收集电极；两个控制环电极；保护环电极。本发明制备的环形探测器具有探测效率高、能谱性能优异的特点，可满足对伽马射线探测器高效率、高分辨的应用要求。有益效果是：探测器小尺寸收集极提高了单载流子探测器的响应性能，阳极电极面保护环有利于提高内电场的均匀性，电荷收集效率的，提高探测器的探测性能。控制环调节了探测器的电场，使载流子的扩散和相互排斥作用减弱，有利于提高探测器性能。
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公开(公告)号：CN113406689B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110596054.9
申请日：2021-05-29
申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院 , 陕西翱翔辐射探测科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种提高X射线光子计数探测器计数特性的系统及方法，包括偏压调节，温度控制和亚禁带光灯，通过调节偏压的大小找到最合适的极化校正偏压，减弱甚至消除其反向内建电场，使探测器光机谱向高能量阈值方向偏移。随温度升高探测器电场畸畸变减弱，载流子收集效率提高，光机谱右移。亚禁带光激发价带电子与缺陷能级上俘获的空穴复合，减小空穴的积累，削弱内建电场，探测器能谱右移，收集效率提高。本发明提出的偏压调节，温度控制和亚禁带光选择的方法，可以显著提高极化条件下的探测器对X射线的响应以及光子计数能力，整个方法探测效率高，计数性能优异。可满足对X射线骨密度仪探测器的高精度，高成像质量的应用要求。
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公开(公告)号：CN113406689A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110596054.9
申请日：2021-05-29
申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院 , 陕西翱翔辐射探测科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种提高X射线光子计数探测器计数特性的系统及方法，包括偏压调节，温度控制和亚禁带光灯，通过调节偏压的大小找到最合适的极化校正偏压，减弱甚至消除其反向内建电场，使探测器光机谱向高能量阈值方向偏移。随温度升高探测器电场畸畸变减弱，载流子收集效率提高，光机谱右移。亚禁带光激发价带电子与缺陷能级上俘获的空穴复合，减小空穴的积累，削弱内建电场，探测器能谱右移，收集效率提高。本发明提出的偏压调节，温度控制和亚禁带光选择的方法，可以显著提高极化条件下的探测器对X射线的响应以及光子计数能力，整个方法探测效率高，计数性能优异。可满足对X射线骨密度仪探测器的高精度，高成像质量的应用要求。
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公开(公告)号：CN113013286A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110112201.0
申请日：2021-01-27
申请人： 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0336 , H01L31/0445 , H01L31/072 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58
摘要： 本发明提供一种高(hk1)晶面丰度的硒化锑薄膜、硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法，解决现有硒化锑薄膜太阳能电池存在效率较低，稳定性较差的问题。本发明采用无毒缓冲层，制备顶衬结构的FTO/SnO2/Sb2Se3/Au薄膜太阳能电池或ITO/SnO2/Sb2Se3/Au薄膜太阳能电池，并采用热处理工艺，使硒化锑薄膜[221]和[211]择优生长取向增强，提高了(hk1)晶面丰度，促进了载流子的传输效率，使器件效率得到提高。该无毒太阳能电池可大面积制备，且在整个制备过程中无污染，适于工业化生产与应用。
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公开(公告)号：CN112201725A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011005558.0
申请日：2020-09-22
申请人： 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0445
摘要： 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，在摇摆合料炉中合成硒化锑晶体；升华源准备步骤，对合成的硒化锑晶体进行处理得到硒化锑升华源；衬底处理步骤，对FTO衬底进行清洗、氮气吹干、真空干燥；窗口层形成步骤，在FTO衬底上形成硫化镉窗口层；吸收层形成步骤，在硫化镉窗口层上形成硒化锑吸收层；退火步骤，吸收层生长结束后，对样品进行退火；背电极制备步骤，在吸收层上蒸镀背电极。本发明制备的硒化锑薄膜太阳能电池具有制备简单、成本低廉、毒性小、生长速度快、可大面积生长等优点，可用于解决传统太阳能电池成本高、毒性大、易衰退等问题，有助于太阳能电池的商业化推广和应用。
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公开(公告)号：CN113644149B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202110852294.0
申请日：2021-07-27
申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院
IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/115 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/58
摘要： 本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法，基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器，与退火之前相比，CdZnTe外延膜的电阻率明显提高，探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏，能量分辨率提高，并且在退火之后出现了对241Am@59.5KeVγ射线的响应。本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。
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公开(公告)号：CN113229839A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110596045.X
申请日：2021-05-29
申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院 , 陕西翱翔辐射探测科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种匹配骨密度仪线阵X射线探测器的线形准直器,射线阻挡板上设有矩形狭缝结构的准直器线性使能区，射线阻挡板可至少使X光机产生的最大能量的X射线入射强度衰减为其初值的5％，其厚度依据准直器材料和X射线最高能量而定。固定装配结构由射线阻挡板外延部分开槽形成，可依据实际情况通过螺钉、螺栓等连接件与X射线线阵探测器模块相连。本发明专利描述的X射线线形准直器，在使用时准直器的贯穿型矩形狭缝与探测器对准，扇形分布的X射线被严格准直，仅垂直入射、无畸变的X射线可照射到X射线探测器上，射线携带的物质信息准确，信号的信噪比高，同时也充分利用了探测器的探测面积，兼顾了高探测效率的要求。
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公开(公告)号：CN113644149A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110852294.0
申请日：2021-07-27
申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院
IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/115 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/58
摘要： 本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法，基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器，与退火之前相比，CdZnTe外延膜的电阻率明显提高，探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏，能量分辨率提高，并且在退火之后出现了对241Am@59.5KeVγ射线的响应。本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。
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公开(公告)号：CN113229833A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110596086.9
申请日：2021-05-29
申请人： 西北工业大学 , 西北工业大学青岛研究院 , 陕西翱翔辐射探测科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种骨密度仪用的X射线探测器，包括占探测器阳极表面中间区域大部分的密排矩形中间电极；占探测器阳极表面边缘区域大部分、尺寸为所述矩形电极2/3的矩形边缘电极；填充最外围电极到探测器边缘之间盈余部分的表面环电极；占探测器侧面面积3/5、由阳极向阴极扩展的侧面环电极；阳极平面内各类电极间具有相等的分隔间距；阴极平面与探测器边缘相距同所述分隔间距相等的完整电极。本发明制备的X射线探测器可以提高边缘电极成像性能，探测效率高、能谱性能优异，可以满足骨密度仪对X射线探测器高效率、高分辨率的要求。
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