本发明提供一种低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、第一P‑body区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二P‑body区、第二P+接触区、第二N+接触区、氧化层、槽栅、金属电极、漏极；本发明提出的SiC MOSFET器件通过4沟道并联显著减小导通电阻，通过第二P‑body对栅槽的包裹及保护，既增强了器件的氧化层可靠性，又屏蔽了部分栅漏电容使得器件开关损耗减小；当器件发生短路时，第一P‑body区与第二P‑body区形成的JFET区夹断，降低了器件的饱和电流，提高了其短路能力。