公开(公告)号：CN114695519B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210310903.4

申请日：2022-03-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李轩 ,  娄谦 ,  吴阳阳 ,  陈致宇 ,  邓小川 ,  张波

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种具有屏蔽层状态自动切换的沟槽型碳化硅IGBT器件及制备方法，包括集电极金属、P+衬底、N型缓冲层、N‑漂移区、第一多晶硅栅、第一栅介质、第一P型阱区、第一P型屏蔽层、P+欧姆接触区、N型载流子存储层、第二多晶硅栅、第二栅介质、第二P型阱区、第二P型屏蔽层、N+源区、N型载流子存储层、发射极金属，本发明通过引入耗尽型P沟道MOSFET结构实现屏蔽层状态的自动切换，从而在器件处于阻断状态下有效降低栅氧化层电场强度的同时又保证了器件具有良好的正向导通能力，降低了器件的开关损耗及EMI噪声。

公开(公告)号：CN110518065A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910844900.7

申请日：2019-09-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李轩 ,  徐晓杰 ,  黄伟 ,  陈致宇 ,  邓小川 ,  张波

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、第一P-body区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二P-body区、第二P+接触区、第二N+接触区、氧化层、槽栅、金属电极、漏极；本发明提出的SiC MOSFET器件通过4沟道并联显著减小导通电阻，通过第二P-body对栅槽的包裹及保护，既增强了器件的氧化层可靠性，又屏蔽了部分栅漏电容使得器件开关损耗减小；当器件发生短路时，第一P-body区与第二P-body区形成的JFET区夹断，降低了器件的饱和电流，提高了其短路能力。

公开(公告)号：CN110518065B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201910844900.7

申请日：2019-09-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李轩 ,  徐晓杰 ,  黄伟 ,  陈致宇 ,  邓小川 ,  张波

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种低功耗高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、第一P‑body区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二P‑body区、第二P+接触区、第二N+接触区、氧化层、槽栅、金属电极、漏极；本发明提出的SiC MOSFET器件通过4沟道并联显著减小导通电阻，通过第二P‑body对栅槽的包裹及保护，既增强了器件的氧化层可靠性，又屏蔽了部分栅漏电容使得器件开关损耗减小；当器件发生短路时，第一P‑body区与第二P‑body区形成的JFET区夹断，降低了器件的饱和电流，提高了其短路能力。

公开(公告)号：CN111969053A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010880553.6

申请日：2020-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李轩 ,  陈致宇 ,  徐晓杰 ,  叶俊杰 ,  邓小川 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种低导通压降二极管器件及其制备方法，包括：铝离子注入形成P型基区；铝离子注入形成P+源区；氮离子注入形成N+源区；刻蚀沟槽；栅氧化层热生长并氮化退火；多晶硅栅淀积与刻蚀；阳极金属淀积；阴极金属淀积，短接阳极金属和多晶硅栅实现二极管的正常工作：反向时，N+源区与P型基区保护栅氧化层避免其过早击穿，同时保护沟道避免漏致势垒降低效应造成的大泄漏电流；导通状态下，沟道区域的低势垒使器件达到低的开启电压。通过引入沟道和利用N+源区与P型基区保护栅氧化层和沟道来实现导通损耗和反向特性的良好折中。在保证器件耐压和无双极退化效应的情况下，保持正向特性和开关特性优势，兼顾温度特性和浪涌电流能力。

公开(公告)号：CN114695519A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210310903.4

申请日：2022-03-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李轩 ,  娄谦 ,  吴阳阳 ,  陈致宇 ,  邓小川 ,  张波

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种具有屏蔽层状态自动切换的沟槽型碳化硅IGBT器件及制备方法，包括集电极金属、P+衬底、N型缓冲层、N‑漂移区、第一多晶硅栅、第一栅介质、第一P型阱区、第一P型屏蔽层、P+欧姆接触区、N型载流子存储层、第二多晶硅栅、第二栅介质、第二P型阱区、第二P型屏蔽层、N+源区、N型载流子存储层、发射极金属，本发明通过引入耗尽型P沟道MOSFET结构实现屏蔽层状态的自动切换，从而在器件处于阻断状态下有效降低栅氧化层电场强度的同时又保证了器件具有良好的正向导通能力，降低了器件的开关损耗及EMI噪声。