一种单芯片LED光电耦合器、其集成电路及制作方法
摘要:
本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器,包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上,相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊,其器件集成度高、封装尺寸减小,降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器,能够与电路集成在同一个衬底上,进一步降低制作成本,提高电路的集成度,适用于光电耦合器的集成技术领域。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的(场致发光光源本身入H05B33/00)
H01L31/16 ..由单光源或多光源控制的对辐射敏感的半导体器件
H01L31/167 ...对辐射敏感的光源或器件,均为以至少一个势垒或面垒为特征的半导体器件
H01L31/173 ....在一个公共衬底之内或之上形成的
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