公开(公告)号：CN110518087A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910823539.X

申请日：2019-09-02

申请人： 电子科技大学 ,  广安职业技术学院 ,  成都智芯微科技有限公司 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  四川遂宁市利普芯微电子有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  气派科技股份有限公司 ,  重庆中科渝芯电子有限公司 ,  四川上特科技有限公司

发明人： 徐开凯 ,  苗晶晶 ,  曾德贵 ,  孙宏亮 ,  范洋 ,  张宁 ,  林涛 ,  赵建明 ,  廖楠 ,  徐银森 ,  陈勇 ,  曾尚文 ,  李洪贞 ,  施宝球 ,  刘继芝 ,  李健儿

IPC分类号： H01L31/173 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上，相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊，其器件集成度高、封装尺寸减小，降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，进一步降低制作成本，提高电路的集成度，适用于光电耦合器的集成技术领域。

公开(公告)号：CN110518087B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201910823539.X

申请日：2019-09-02

申请人： 电子科技大学 ,  广安职业技术学院 ,  成都智芯微科技有限公司 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  四川遂宁市利普芯微电子有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  重庆中科渝芯电子有限公司 ,  四川上特科技有限公司

发明人： 徐开凯 ,  苗晶晶 ,  曾德贵 ,  孙宏亮 ,  范洋 ,  张宁 ,  林涛 ,  赵建明 ,  廖楠 ,  徐银森 ,  陈勇 ,  曾尚文 ,  李洪贞 ,  施宝球 ,  刘继芝 ,  李健儿

IPC分类号： H01L31/173 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上，相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊，其器件集成度高、封装尺寸减小，降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，进一步降低制作成本，提高电路(56)对比文件Sun，Hongliang，et.al.“A novelpolysilicon light source and its on-chipoptical interconnection structuredesign”《.SPIE》.2019,第1102342-1至1102342-6页.