发明授权
- 专利标题： 用于磁隧道结的间隔件堆叠件
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申请号： CN201910162848.7申请日： 2019-03-05
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公开(公告)号： CN110649061B公开(公告)日： 2022-12-13
- 发明人: 刘中伟 , 蓝锦坤
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 62/690,724 20180627 US 16/129,088 20180912 US
- 主分类号： H01L27/22
- IPC分类号： H01L27/22 ; H01L43/08 ; H01L43/12
摘要：
本发明实施例描述形成具有金属化合物层的间隔件的示例性方法。该方法包括：在互连层上方形成磁隧道结(MTJ)结构和在磁隧道结结构和互连层上方沉积第一间隔件层。该方法还包括在第一间隔材料，磁隧道结结构和互连层上方沉积第二间隔件层，其中，第二间隔件层比第一间隔件层薄，并包括金属化合物。此外，该方法还包括：在第二间隔件层上方和MTJ结构之间沉积第三间隔件层。第二间隔件比第一间隔件薄。本发明实施例涉及用于磁隧道结的间隔件堆叠件。
公开/授权文献
- CN110649061A 用于磁隧道结的间隔件堆叠件 公开/授权日：2020-01-03
IPC分类:
