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发明公开
CN110676221A 半导体元件及其制作方法 有权

半导体元件及其制作方法
摘要：
本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先提供一基底，该基底上具有一存储器区以及一周边区，然后形成一第一凹槽以及一第二凹槽于存储器区的基底内，其中第二凹槽宽度大于第一凹槽宽度，接着形成一第一衬垫层、一第二衬垫层以及一第三衬垫层于第一凹槽以及第二凹槽内，进行一表面处理制作工艺以降低第三衬垫层的应力，之后再平坦化第三衬垫层、第二衬垫层以及第一衬垫层以形成一第一隔离结构以及一第二隔离结构。
摘要（英）：

The invention discloses a method for manufacturing a semiconductor element. The method mainly comprises the following steps: providing a substrate which is provided with a memory area and a peripheralarea, and forming a first groove and a second groove in the substrate of the memory area, the width of the second groove being greater than that of the first groove, forming a first liner layer, a second liner layer and a third liner layer in the first groove and the second groove, and performing a surface treatment manufacturing process to reduce the stress of the third liner layer, and flattening the third liner layer, the second liner layer and the first liner layer to form a first isolation structure and a second isolation structure.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8239 ........存储器结构
H01L21/8242 .........动态随机存取存储结构（DRAM）
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