发明授权
- 专利标题： 一种双模阻变存储器件及其制备方法
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申请号： CN201910903216.1申请日： 2019-09-24
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公开(公告)号： CN110783453B公开(公告)日： 2024-02-09
- 发明人: 王宗巍 , 蔡一茂 , 康健 , 鲍盛誉 , 凌尧天 , 喻至臻 , 陈青钰 , 鲍霖 , 吴林东 , 黄如
- 申请人： 北京大学
- 申请人地址： 北京市海淀区颐和园路5号北京大学
- 专利权人： 北京大学
- 当前专利权人： 北京大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区颐和园路5号北京大学
- 代理机构： 北京君尚知识产权代理有限公司
- 代理商 俞达成
- 主分类号： H10B63/10
- IPC分类号： H10B63/10
摘要：
具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底 阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。和位于衬底上的底电极‑阻变层‑自选择层‑顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；(56)对比文件Xinjun Liu et al..Co-Occurrence ofThreshold Switching and Memory Switchingin Pt/NbOx/Pt Cells for Crosspoint MemoryApplications《.IEEE ELECTRON DEVICELETTERS》.2012,第33卷(第2期),第236页.
公开/授权文献
- CN110783453A 一种双模阻变存储器件及其制备方法 公开/授权日：2020-02-11