- 专利标题： 驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法
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申请号： CN201810870394.4申请日： 2018-08-02
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公开(公告)号： CN110797431B公开(公告)日： 2021-11-02
- 发明人: 汪巍 , 方青 , 涂芝娟 , 曾友宏 , 蔡艳 , 王庆 , 王书晓 , 余明斌
- 申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
- 申请人地址： 上海市嘉定区城北路235号3号楼
- 专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
- 当前专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市嘉定区城北路235号3号楼
- 代理机构： 上海盈盛知识产权代理事务所
- 代理商 孙佳胤; 陈丽丽
- 主分类号： H01L31/107
- IPC分类号： H01L31/107 ; H01L31/18 ; H01L31/028
摘要：
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法。所述驰豫GeSn红外雪崩光电探测器，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于衬底上的电荷倍增结构、缓冲层和吸收层；所述电荷倍增结构采用Si材料构成；所述吸收层采用驰豫Ge1‑xSnx材料构成，其中，0
公开/授权文献
- CN110797431A 驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法 公开/授权日：2020-02-14
IPC分类:
