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公开(公告)号：CN116417333A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111670157.1
申请日：2021-12-31
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L25/075 , H01L33/50
摘要： 本发明提供一种电沉积电极结构、全彩化显示结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：形成包括多个第一电极块的第一电极层于绝缘基板上，形成第一绝缘层；形成包括多个第二电极块的第二电极层于第一绝缘层上，第一、第二电极块在水平方向上间隔排布；形成第二绝缘层；形成多个第一开口以显露第一电极块；形成第三电极块于第一开口中；形成多个第二开口以显露第二电极块；形成第四电极块于第二开口中。本发明将二维平面上制备的电极变为三维电极，利用电极之间的绝缘层来隔绝电极间相互影响，解决了二维平面电极容易短路的问题。由于两层电极的连线可以上下排布，节约了排布面积，使得像素间距进一步缩小，进而可以得到更高分辨率的色彩转换膜。
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公开(公告)号：CN111830627B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201910328570.6
申请日：2019-04-23
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种偏振分束器及其形成方法。所述偏振分束器包括：衬底；位于所述衬底表面且均沿第一方向延伸的第一波导、狭缝波导和第二波导；所述第一波导、所述狭缝波导与所述第二波导在沿与所述第一方向垂直的第二方向上平行排列，且所述狭缝波导位于所述第一波导与所述第二波导之间；所述第一方向为光线的传播方向，所述第一方向与所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；所述光线中的横磁偏振光能够自所述第一波导经所述狭缝波导耦合至所述第二波导。本发明实现了对光线中TM偏振模式与TE偏振模式的分离，在未来的偏振复用以及传感等方面有着诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN111834486B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201910243160.1
申请日：2019-03-28
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1‑xPbx，其中，0
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公开(公告)号：CN110797431B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201810870394.4
申请日：2018-08-02
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/028
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法。所述驰豫GeSn红外雪崩光电探测器，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于衬底上的电荷倍增结构、缓冲层和吸收层；所述电荷倍增结构采用Si材料构成；所述吸收层采用驰豫Ge1‑xSnx材料构成，其中，0
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公开(公告)号：CN112799172A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201911108174.9
申请日：2019-11-13
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本申请提供一种波导结构及其制造方法，所述波导结构包括：环形波导，其数量为两个以上；第一直线型波导，呈直线形状，所述第一直线型波导的两端分别为入射端和第一连接端；第二直线型波导，呈直线形状，所述第二直线型波导的两端分别为出射端和第二连接端；以及U型波导，其连接所述第一连接端和第二连接端，其中，相邻的环形波导的中心连线与所述第一直线型波导和所述第二直线型波导平行。
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公开(公告)号：CN110828626B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810901040.1
申请日：2018-08-09
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 该发明涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成应变层，且所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；刻蚀所述缓冲层，形成支撑柱，使所述应变层悬空，将所述应变层的应力完全释放；在应力完全释放的所述应变层表面外延生长弛豫层，且所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的支撑柱；位于所述衬底上方，由所述支撑柱支撑的应变层，所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；位于所述应变层表面的弛豫层，所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。
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公开(公告)号：CN112242343A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910646559.4
申请日：2019-07-17
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面；3)沉积非晶硅层于硅衬底表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶形成覆盖于硅衬底及介质层表面的单晶硅层，以形成单晶硅局域SOI衬底，于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN112242342A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910645972.9
申请日：2019-07-17
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
摘要： 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面，平坦表面停留在介质层表面，且在所述介质层中刻蚀出种子槽；3)沉积非晶硅层于种子槽及介质层表面，抛光形成平坦表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶，形成单晶硅层，以形成所述单晶硅局域SOI衬底；4)于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN112017973A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910462224.7
申请日：2019-05-30
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/52 , H01L31/0203 , H01L25/16 , G02B6/42
摘要： 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，采用晶圆级扇出形封装方法制备硅光模块，其能够提高硅光模块的带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时采用该封装方法形成的硅光模块还具有用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合；即本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。
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公开(公告)号：CN110828626A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810901040.1
申请日：2018-08-09
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 该发明涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成应变层，且所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；刻蚀所述缓冲层，形成支撑柱，使所述应变层悬空，将所述应变层的应力完全释放；在应力完全释放的所述应变层表面外延生长弛豫层，且所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。所述半导体结构包括衬底；位于所述衬底表面的支撑柱；位于所述衬底上方，由所述支撑柱支撑的应变层，所述应变层的厚度小于弛豫临界厚度；位于所述应变层表面的弛豫层，所述弛豫层的材料与所述应变层的材料相同。
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