- 专利标题: 多重状态存储器元件及其存储状态值的调整方法
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申请号: CN201810970278.X申请日: 2018-08-23
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公开(公告)号: CN110858502B公开(公告)日: 2021-10-19
- 发明人: 林榆瑄 , 林昱佑 , 李峰旻 , 王超鸿 , 曾柏皓 , 许凯捷
- 申请人: 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 任岩
- 主分类号: G11C16/34
- IPC分类号: G11C16/34 ; G11C16/06
摘要:
一种多重状态存储器元件包括:第一存储器单元、第二存储器单元、第一控制单元以及第二控制单元。第二存储器单元具有与第一存储器单元实质相同的存储单元结构,并与第一存储器单元串接。第一控制单元与第一存储器单元串联或并联。第二控制单元,具有与第一控制单元相同的特征值以及相同连接结构,用以与第二存储器单元电性连接。当第一存储器单元经由第一控制单元接收第一信号和第二信号时,第一存储器单元分别产生第一状态值和第二状态值;其中特征值介于第一状态值第二状态值之间。
公开/授权文献
- CN110858502A 多重状态存储器元件及其存储状态值的调整方法 公开/授权日:2020-03-03