本发明公开了一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法，包括如下步骤：沿第一方向，在半导体衬底上形成若干鳍状结构；其中，鳍状结构包括鳍部，以及位于鳍部上交替堆叠的第一材料刻蚀结构和第二材料刻蚀结构；沿第二方向，在若干鳍状结构上形成牺牲栅、侧墙和源/漏区；去除牺牲栅；并选择性去除位于栅极区域内的N阱区上的第一材料刻蚀结构，以及P阱区上的第二材料刻蚀结构；对剩余第一材料刻蚀结构和第二材料刻蚀结构进行形貌调整处理，形成P阱区的第一沟道区和N阱区的第二沟道区；对第一沟道区和第二沟道区进行钝化处理，形成界面钝化层；在界面钝化层上形成栅极介质层和栅极。实现对N/PMOS分别对应不同导电沟道的CMOS器件制备，提高器件性能。