公开(公告)号：CN111710649B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202010402582.1

申请日：2020-05-13

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  程晓红 ,  张青竹 ,  王文武

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以减少PMOS器件中导电沟道的缺陷，提高半导体器件的性能。所述半导体器件的制作方法包括：提供一衬底，衬底包括N阱区和P阱区。在衬底上形成第一半导体材料层，第一半导体材料层至少覆盖在P阱区上。在衬底上形成第二半导体材料层，第二半导体材料层覆盖在N阱区上。第二半导体材料层所含有的材料不同于第一半导体材料层所含有的材料。在衬底上形成至少两个鳍状结构。在相邻鳍状结构之间形成浅槽隔离层。所述半导体器件采用上述半导体器件的制作方法制作形成。

公开(公告)号：CN112185892B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010943337.1

申请日：2020-09-09

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  程晓红 ,  王文武

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决掩膜填充到器件的纳米片或线之间，影响该器件的阈值电压等电学性能的技术问题。该半导体器件的制作方法包括：提供多个半导体结构；每个半导体结构至少包括间隔设置的多个纳米片或线，以及形成在纳米片或线外周的栅介质层；采用多次淀积和去除工艺，在每个半导体结构的栅介质层外周形成相应厚度的偶极子层，以使每个半导体结构具有相应的阈值调控结构，从而获得多个具有不同阈值调控参数的阈值调控结构；其中，多次淀积和去除工艺包括，采用多次淀积工艺在每个半导体结构中形成牺牲层，以及采用多次去除工艺去除牺牲层。

公开(公告)号：CN113130630B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110372580.7

申请日：2021-04-07

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 昝颖 ,  李永亮 ,  赵飞 ,  程晓红 ,  王文武

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/324

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在半导体器件所包括的沟道材质含有锗的情况下，降低沟道的界面态，提高半导体器件的工作性能。所述半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成半导体器件所包括的沟道。沟道的材质含有锗。对沟道进行原位交替循环的氧化处理和热处理，以降低沟道的表面粗糙度。在沟道的外周原位形成界面层。

公开(公告)号：CN115050818A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210382420.5

申请日：2022-04-12

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  刘昊炎 ,  程晓红 ,  罗军 ,  王文武

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提高包括材质含有锗的沟道的鳍式场效应晶体管的良率，提升该鳍式场效应晶体管的工作性能。所述鳍式场效应晶体管包括：源区、漏区、沟道、侧墙和栅堆叠。侧墙和栅堆叠覆盖在沟道的外周。沟道包括第一材料部和第二材料部。第二材料部的材质含有锗。第二材料部位于侧墙下方的区域为第一沟道区。第二材料部位于栅堆叠下方的区域为第二沟道区。第二沟道区的宽度小于第一沟道区的宽度、且第二沟道区的顶部与第一沟道区的顶部平齐。第一材料部形成在第一沟道区的顶部与侧墙之间，或第一材料部覆盖在第二材料部的顶部。第一材料部用于在制造过程中保护第二材料部的顶部。

公开(公告)号：CN110752155B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201911032062.X

申请日：2019-10-28

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  程晓红 ,  张青竹 ,  殷华湘 ,  王文武

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种鳍状结构的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，并在衬底上形成若干鳍；在若干鳍之间沉积浅槽隔离；并对浅槽隔离依次进行第一平坦化处理和第一腐蚀处理；对若干鳍进行第二腐蚀处理；在已形成的结构上填充材料层，并对材料层进行回刻处理；高选择比去除浅槽隔离顶部的残余物，并去除第二腐蚀处理区域内的材料层；在第二腐蚀处理区域内外延生长高迁移率材料，形成导入结构；并对导入结构进行第二平坦化处理；对浅槽隔离进行第三腐蚀处理，形成鳍状结构。本发明提供的鳍状结构的制备方法，不会在外延生长高迁移率材料时，形成相应的“颗粒缺陷”，也不会对外延生长的效率和质量产生影响。本发明还提供一种半导体器件的制备方法。

公开(公告)号：CN113130489A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110272188.5

申请日：2021-03-12

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  赵飞 ,  程晓红 ,  马雪丽 ,  王文武

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在确保第一晶体管和第二晶体管所具有的阈值电压不同的情况下，降低半导体器件的制造难度。所述半导体器件的制造方法包括：在基底上形成第一晶体管所包括的第一沟道区、以及在第一沟道区的上方形成第二晶体管所包括的第二沟道区。形成环绕在第一沟道区外周的第一栅介质层、以及环绕在第二沟道区外周的第二栅介质层。在第一栅介质层和第二栅介质层上分别形成第一功函数层。在位于第一栅介质层上的第一功函数层上、以及在第二栅介质层上形成第二功函数层。或，对位于第二栅介质层上的第一功函数层的功函数进行调整，形成第二功函数层，以使第一晶体管和第二晶体管具有的阈值电压不同。

公开(公告)号：CN112992899A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110174705.5

申请日：2021-02-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  赵飞 ,  程晓红 ,  王文武

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在确保第一晶体管和第二晶体管具有的阈值电压不同的情况下，简化半导体器件的制造过程，提高半导体器件的良率和性能。所述半导体器件包括：衬底、第一晶体管和第二晶体管。衬底包括第一阱区和第二阱区。第一晶体管形成在第一阱区上。第一晶体管包括的沟道区具有第一材料部。第二晶体管形成在第二阱区上。第二晶体管和第一晶体管的导电类型不同。第二晶体管包括的沟道区具有第一材料部、以及形成在第一材料部外周的第二材料部。第二材料部的材质与第一材料部的材质不同。第二晶体管和/或第一晶体管为堆叠纳米线或片环栅晶体管。所述半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件。

公开(公告)号：CN112038291A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010725278.0

申请日：2020-07-24

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  程晓红 ,  王文武

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及电子设备，涉及半导体技术领域，以对锗硅沟道或锗沟道进行保护的同时不会增加工艺难度和兼容性风险。该半导体器件的制作方法包括以下步骤：提供半导体结构；半导体结构具有多个鳍部，相邻两个鳍部之间形成有沟槽，每个鳍部包括锗硅材料层或锗材料层；在沟槽内形成浅沟槽隔离材料层；环绕鳍部形成硅保护层；对浅沟槽隔离材料层进行退火处理，得到浅沟槽隔离层。本发明的半导体制作方法用于制作上述半导体器件。

公开(公告)号：CN111916448A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010628369.2

申请日：2020-07-01

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  程晓红 ,  李俊杰 ,  张青竹 ,  王文武

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于在无损伤半导体器件内部结构的前提下形成阻挡层，抑制寄生沟道漏电，提高半导体器件的性能。所述半导体器件包括：衬底、堆叠结构、扩散掺杂叠层和栅堆叠结构。堆叠结构包括阻挡层和有源层。有源层包括源区、漏区和沟道区。沟道区分别与源区和漏区接触。扩散掺杂叠层形成在衬底上。扩散掺杂叠层至少环绕在阻挡层的外侧壁。扩散掺杂叠层用于向阻挡层扩散杂质。扩散至阻挡层内的杂质的掺杂类型与源区和漏区内杂质的掺杂类型相反。栅堆叠结构形成在沟道区外周。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。

公开(公告)号：CN111180520A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010010684.9

申请日：2020-01-06

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李永亮 ,  程晓红 ,  李俊杰 ,  马雪丽 ,  杨红 ,  王晓磊 ,  罗军 ,  王文武

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/45 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备。涉及半导体技术领域，以降低源极或漏极的串联电阻和接触电阻，提高半导体器件性能。半导体器件包括衬底、有源层、源极、漏极和栅堆叠结构；有源层包括第一面状有源部，第二面状有源部，以及位于第一面状有源部和第二面状有源部之间的至少一条悬空鳍状有源部，至少一条悬空鳍状有源部与衬底具有空隙；源极覆盖在第一面状有源部背离衬底的表面；漏极覆盖在第二面状有源部背离衬底的表面；栅堆叠结构通过空隙环绕在至少一条悬空鳍状有源部的外周。所述半导体器件的制备方法用于制备半导体器件。本发明提供的半导体器件用于电子设备。