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发明公开
CN1109112A 大尺寸氟化铈晶体的生长技术 失效 - 授权

大尺寸氟化铈晶体的生长技术
摘要：
本发明涉及晶体生长技术，尤其是大批量生长大尺寸优质氟化铈晶体的技术，属晶体生长领域。本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF3晶体。经测定在波长为340mm处具有良好透过度，抗辐射性能优异，可满足作为对撞机用的闪烁材料的要求。
摘要（英）：

The technique including such areas as raw material processing, crucible, growing apparatus and productive technology for growing CeF3 crystal features that large-size (220 mm) CeF3 crystal may be grown in batch and has better transmissivity at 340 mm wavelength and excellent radioactive resistance, so it can meet the requirement of scintillation material used in colliding beam machine.

公开/授权文献
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