-
公开(公告)号：CN102787350A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210322219.4
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人： 王绍华 , 倪海洪 , 周里华 , 陈俊锋 , 刘光煜 , 赵鹏 , 袁兰英 , 周学农 , 张健 , 宋桂兰 , 齐雪君 , 李赟 , 陆裕贵 , 杜勇 , 李文朋 , 李敏 , 徐力 , 孙世允 , 刘训龙
摘要： 本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并调节，保证整个生长装置具有最佳的温度场。本发明还可以根据生长晶体的长度按照1:1的比例调节生长装置高温区的高度和辅助加热系统的高度，并设计出长尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，调整合适的温度梯度和下降速度，高效率地制备长尺寸、高质量的锗酸铋闪烁晶体。
-
公开(公告)号：CN1109112A
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：CN94112080.5
申请日：1994-03-23
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及晶体生长技术，尤其是大批量生长大尺寸优质氟化铈晶体的技术，属晶体生长领域。本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF3晶体。经测定在波长为340mm处具有良好透过度，抗辐射性能优异，可满足作为对撞机用的闪烁材料的要求。
-
公开(公告)号：CN102787350B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210322219.4
申请日：2012-09-03
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人： 王绍华 , 倪海洪 , 周里华 , 陈俊锋 , 刘光煜 , 赵鹏 , 袁兰英 , 周学农 , 张健 , 宋桂兰 , 齐雪君 , 李赟 , 陆裕贵 , 杜勇 , 李文朋 , 李敏 , 徐力 , 孙世允 , 刘训龙
摘要： 本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并调节，保证整个生长装置具有最佳的温度场。本发明还可以根据生长晶体的长度按照1:1的比例调节生长装置高温区的高度和辅助加热系统的高度，并设计出长尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，调整合适的温度梯度和下降速度，高效率地制备长尺寸、高质量的锗酸铋闪烁晶体。
-
公开(公告)号：CN1046006C
公开(公告)日：1999-10-27
申请号：CN94112080.5
申请日：1994-03-23
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及晶体生长技术，尤其是大批量生长220毫米长的大尺寸优质氟化铈晶体的技术，属晶体生长领域。本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF3晶体。经测定在波长为340mm处具有良好透过度，抗辐照性能优异，可满足作为西欧核子中心对撞机用的闪烁材料的要求。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.032 秒)
