一种高闪烁性能钨酸铅粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN101973583B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010523241.6

    申请日:2010-10-28

    IPC分类号: C01G41/00 C09K11/68

    摘要: 本发明公开了一种高闪烁性能钨酸铅粉体的制备方法,包括如下具体步骤:a)将水溶性铅盐溶液,匀速滴加入pH值≥7的水溶性钨酸盐溶液中,使反应溶液在30~80℃下进行共沉淀化学反应;b)将得到的钨酸铅沉淀进行过滤、清洗、烘干;c)将得到的钨酸铅晶粒进行热处理。由本发明方法制备得到的钨酸铅粉体的发光峰位于450~500nm的蓝光波段,属于快发光分量;发光强度高,与将现有的下降法生长的钨酸铅晶体磨成的粉体的发光强度相比,明显提高15倍左右,可达到将下降法生长的锗酸铋晶体磨成的粉体的发光水平,具有优良的闪烁性能;且具有操作简单、反应时间短、对实验设备要求低、可控性高等优点,适合规模化生产。

    一种高闪烁性能钨酸铅粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN101973583A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN201010523241.6

    申请日:2010-10-28

    IPC分类号: C01G41/00 C09K11/68

    摘要: 本发明公开了一种高闪烁性能钨酸铅粉体的制备方法,包括如下具体步骤:a)将水溶性铅盐溶液,匀速滴加入pH值≥7的水溶性钨酸盐溶液中,使反应溶液在30~80℃下进行共沉淀化学反应;b)将得到的钨酸铅沉淀进行过滤、清洗、烘干;c)将得到的钨酸铅晶粒进行热处理。由本发明方法制备得到的钨酸铅粉体的发光峰位于450~500nm的蓝光波段,属于快发光分量;发光强度高,与将现有的下降法生长的钨酸铅晶体磨成的粉体的发光强度相比,明显提高15倍左右,可达到将下降法生长的锗酸铋晶体磨成的粉体的发光水平,具有优良的闪烁性能;且具有操作简单、反应时间短、对实验设备要求低、可控性高等优点,适合规模化生产。

    用稀土离子改性的钨酸铅晶体制作的声光调制器

    公开(公告)号:CN1128380C

    公开(公告)日:2003-11-19

    申请号:CN01112800.3

    申请日:2001-04-29

    IPC分类号: G02F1/11

    摘要: 本发明涉及一种用稀土离子改性的钨酸铅晶体制的声光调制器,沿用钼酸铅声光调制器的结构和尺寸,其特征在于La3+:PWO或Y3+:PWO替代PMO或TeO2晶体制作声光调制器,La3+,Y3+离子掺入量为150-200ppm,器件设计和结构基本不变的前提下,有意义地改进调制器的性能,特别是工作波段向近紫外区延伸约60-70nm,并具有良好的抗辐照能力。而晶体的价格远比PMO或TeO2低,所以是一种很有应用前景的声光调制器。

    Ba3BP3O12晶体及其生长方法与应用

    公开(公告)号:CN101514491A

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200910046768.1

    申请日:2009-02-27

    摘要: 本发明涉及一种Ba3BP3O12晶体及其生长方法与应用,属于晶体生长领域。本发明的Ba3BP3O12晶体,其化学式组成为:Ba1-x-2y-2zMIIxMIIIyAyMIVz)3BPO3O12,其中,0≤x≤0.35,0≤y≤0.35,0≤z≤0.35;MII为+2价态的Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Eu、Mn、Yb中的一种离子或多种离子;MIII为+3价态的Cr、Bi、Ti、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一种离子或多种离子;A为Li、Na、K、Rb、Cs中一种离子或多种离子;MIV为+4价态的Cr、Ti、Zr、Hf中的一种离子或多种离子。本发明采用助熔剂法生长的上述晶体,具有硬度大,机械性能好,不易开裂,不潮解,易于加工和保存等优点,可应用于激光晶体、声光晶体、光折变晶体或光子晶体领域。