本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和肖特基电极面积的比值为q， 欧姆电极和肖特基电极的上表面覆盖有PAD层，PAD层材料为镍和金。制备方法中制备氮化镍肖特基电极的方法为：在肖特基电极区域沉积镍金属，然后在氨气氛围中进行氨化，氨化的反应温度为100-780℃，反应时间为1-10小时，流量范围为5-100sccm，压强范围为1-1000mTorr。本发明的二极管反向泄漏电流更小，实验成本更低，具有较广的适用范围。