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公开(公告)号：CN112881485B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110048542.6
申请日：2021-01-14
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01N27/30 , H01L29/20 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅极，栅极上设置有金单质层，金单质层上附着有有机官能团；有机官能团为在常温常压且pH值为5～9条件下和次氯酸发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物。本发明使用有机官能团作为次氯酸根检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉有机官能团和次氯酸根反应产生的电位变化；使用p‑GaN层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免通电对次氯酸根测量准确性的影响。
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公开(公告)号：CN110931570B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201911279219.9
申请日：2019-12-13
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L21/285
摘要： 本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和肖特基电极面积的比值为q，欧姆电极和肖特基电极的上表面覆盖有PAD层，PAD层材料为镍和金。制备方法中制备氮化镍肖特基电极的方法为：在肖特基电极区域沉积镍金属，然后在氨气氛围中进行氨化，氨化的反应温度为100‑780℃，反应时间为1‑10小时，流量范围为5‑100sccm，压强范围为1‑1000mTorr。本发明的二极管反向泄漏电流更小，实验成本更低，具有较广的适用范围。
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公开(公告)号：CN108599827A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810229407.X
申请日：2018-03-20
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H04B7/0456 , H04B7/0452 , H04B1/711
摘要： 本发明公开了一种抗ISI、MUI、多径干扰的预编码装置及方法，包括信号预编码模块对反馈模块输出的发送信号在发送端进行预处理；等效信道模块用于预处理过的信号传输，包含了多径信道的时延信息和多径信息；信号接收处理模块，用于对经过等效信道模块的接收信号进行信号处理；信道接收处理模块，用于对信号接收处理的信号进行信号处理，至此消除了ISI、MUI和多径干扰；接收端取模模块对接收矩阵模块的输出数据取模；数字解调模块用于解调取模模块的输出信号；判决模块对数字解调模块输出的信号与预设门限进行比较，得到经过MIMO多径信道传输的无ISI、MUI和多径干扰接收信号。以实现在复杂的移动通信环境中，信号经过MIMO多径系统阐述的ISI、MUI、多径干扰消除，同时降低系统在体积较小的接收端设备复杂度。
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公开(公告)号：CN112881485A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110048542.6
申请日：2021-01-14
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01N27/30 , H01L29/20 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅极，栅极上设置有金单质层，金单质层上附着有有机官能团；有机官能团为在常温常压且pH值为5～9条件下和次氯酸发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物。本发明使用有机官能团作为次氯酸根检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉有机官能团和次氯酸根反应产生的电位变化；使用p‑GaN层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免通电对次氯酸根测量准确性的影响。
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公开(公告)号：CN111755530A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010543406.X
申请日：2020-06-15
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/20 , H01L29/45 , H01L29/47
摘要： 本发明公开了一种基于双阳极结构的AlGaN/GaN基肖特基势垒二极管及制造方法，属于微电子技术领域，包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上制备欧姆阴极以及具有两种功函数的肖特基阳极，所述的肖特基阳极中，低功函数肖特基阳极结构的正下方AlGaN势垒层被部分刻蚀或者全部刻蚀。高功函数的金属位于本征AlGaN势垒层上方并覆盖在低功函数金属上。本发明利用低功函数金属与二维电子气的接触，降低器件的开启电压，而高功函数肖特基金属抑制了器件的反向漏电，实现高的反向击穿电压，从而调控器件的正向以及反向电学特性，采用这种双阳极器件结构能够同时实现器件的低开启电压和高反向击穿电压，有利于器件在高速整流方面的应用。
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公开(公告)号：CN110931570A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911279219.9
申请日：2019-12-13
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L21/285
摘要： 本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和肖特基电极面积的比值为q， 欧姆电极和肖特基电极的上表面覆盖有PAD层，PAD层材料为镍和金。制备方法中制备氮化镍肖特基电极的方法为：在肖特基电极区域沉积镍金属，然后在氨气氛围中进行氨化，氨化的反应温度为100-780℃，反应时间为1-10小时，流量范围为5-100sccm，压强范围为1-1000mTorr。本发明的二极管反向泄漏电流更小，实验成本更低，具有较广的适用范围。
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