本发明一实施方式提供了一种半导体器件互连结构阻挡层的制备方法，包括如下步骤：提供一包含介电层的半导体器件；通过蚀刻在所述介电层上开设沟槽，并对所述介电层进行湿式清洗处理；对湿式清洗处理后的所述介电层进行热处理；以及在热处理后的所述介电层上形成阻挡层，使得所述阻挡层覆盖所述介电层及所述沟槽的底面、侧壁；其中，所述湿式清洗处理步骤与所述形成阻挡层步骤的时间间隔在12小时以内。本发明一实施方式的制备方法，可有效抑制半导体器件中的铜迁移。