本发明公开一种异质结光伏器件的制备方法，包括以下步骤：S1、取p型晶硅作为衬底，采用离子束刻蚀工艺或臭氧氧化刻蚀工艺在衬底顶面制作绒面结构；S2、采用磁控溅射工艺或蒸镀工艺在衬底的底面沉积背电极；S3、采用磁控溅射工艺在衬底的顶面沉积n型发射膜层；S4、采用磁控溅射工艺在n型发射膜层顶面沉积透明导电层；S5、采用磁控溅射工艺在透明导电层顶面沉积前电极，得到异质结光伏器件；方法得到的异质结光伏器件具有晶格匹配好、界面态密度低的优点，增强异质结光伏器件的整体性能。