本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。生长方法包括：将衬底放入反应室内；在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层由交替层叠的多个InGaN阱层和多个垒层组成，每个垒层由依次层叠的多个复合层组成，每个复合层采用如下方式生长：向反应室内通入In源和载气，使In源分布在反应室内的所有区域；向反应室室内通入In源、Ga源、氨气和载气，生长InGaN垒层；向反应室内通入Ga源、氨气和载气，生长GaN垒层，GaN垒层的生长速率大于InGaN垒层的生长速率。本公开可有效减小EQE达到峰值所需的电流密度。