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发明公开
CN111105824A 磁性存储器及其制造方法 有权

磁性存储器及其制造方法
摘要：
一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移-自旋扭矩转移(SOT-STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT-STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT-STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT-STT混合磁性器件和第二SOT-STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT-STT混合磁性器件和第二SOT-STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。
摘要（英）：

A magnetic memory including a first spin-orbital-transfer-spin-torque-transfer (SOT-STT) hybrid magnetic device disposed over a substrate, a second SOT-STT hybrid magnetic device disposed over the substrate, and a SOT conductive layer connected to the first and second SOT devices. Each of the first and second SOT-STT hybrid magnetic devices includes a first magnetic layer, as a magnetic free layer, a spacer layer disposed under the first magnetic layer, and a second magnetic layer, as a magnetic reference layer, disposed under the spacer layer. The SOT conductive layer is disposed over the first magnetic layer of each of the first and second SOT-STT hybrid magnetic devices.

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