发明授权
- 专利标题： 离子布植装置及方法
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申请号： CN201910768322.3申请日： 2019-08-20
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公开(公告)号： CN111105969B公开(公告)日： 2022-07-08
- 发明人: 黄俊荣 , 褚立新 , 蔡柏沣 , 彭宣翰 , 徐光宏 , 陈宗纬 , 徐永璘
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 62/752,268 20181029 US 16/381,863 20190411 US
- 主分类号： H01J37/147
- IPC分类号： H01J37/147 ; H01J37/30 ; H01J37/317
摘要：
本揭示案的实施例描述一种离子布植装置及方法，即用于离子布植(ion implantation；IMP)制程的系统及方法。系统包括离子植入机、倾斜机构、离子收集设备，及控制单元。离子植入机经配置以在靶上以一角度范围扫描离子束。倾斜机构经配置以支撑该靶并使该靶倾斜。离子收集设备经配置以自靶上的离子束扫描收集喷射离子的分布及数目。控制单元经配置以基于校正角度来调整倾斜角度，校正角度是基于喷射离子的分布及数目确定的。
公开/授权文献
- CN111105969A 离子布植装置及方法 公开/授权日：2020-05-05
