模块加压工作站及利用其处理半导体的方法

    公开(公告)号:CN109841552B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201810811318.6

    申请日:2018-07-23

    IPC分类号: H01L21/677

    摘要: 本发明揭露一种模块加压工作站及利用其处理半导体工件的方法。在一实施例中,模块加压工作站系统包含和工作站本体接合的第一加压负载端;和工作站本体接合的第二加压负载端;维持在设定压力水平的工作站本体,其中工作站本体包含内部材料处理系统,配置以在设定压力水平下且在第一负载端和第二加压负载端之间的工作站本体内移动半导体工件;和第一加压负载端接合的第一模块工具,其中第一模块工具配置以处理半导体工件;以及和第二加压负载端接合的第二模块工具,其中第二模块工具配置以检查由第一模块工具处理的半导体工件。

    离子布植装置及方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111105969A

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201910768322.3

    申请日:2019-08-20

    摘要: 本揭示案的实施例描述一种离子布植装置及方法,即用于离子布植(ion implantation;IMP)制程的系统及方法。系统包括离子植入机、倾斜机构、离子收集设备,及控制单元。离子植入机经配置以在靶上以一角度范围扫描离子束。倾斜机构经配置以支撑该靶并使该靶倾斜。离子收集设备经配置以自靶上的离子束扫描收集喷射离子的分布及数目。控制单元经配置以基于校正角度来调整倾斜角度,校正角度是基于喷射离子的分布及数目确定的。

    离子布植装置及方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111105969B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN201910768322.3

    申请日:2019-08-20

    摘要: 本揭示案的实施例描述一种离子布植装置及方法,即用于离子布植(ion implantation;IMP)制程的系统及方法。系统包括离子植入机、倾斜机构、离子收集设备,及控制单元。离子植入机经配置以在靶上以一角度范围扫描离子束。倾斜机构经配置以支撑该靶并使该靶倾斜。离子收集设备经配置以自靶上的离子束扫描收集喷射离子的分布及数目。控制单元经配置以基于校正角度来调整倾斜角度,校正角度是基于喷射离子的分布及数目确定的。

    模块加压工作站及利用其处理半导体的方法

    公开(公告)号:CN109841552A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201810811318.6

    申请日:2018-07-23

    IPC分类号: H01L21/677

    摘要: 本发明揭露一种模块加压工作站及利用其处理半导体工件的方法。在一实施例中,模块加压工作站系统包含和工作站本体接合的第一加压负载端;和工作站本体接合的第二加压负载端;维持在设定压力水平的工作站本体,其中工作站本体包含内部材料处理系统,配置以在设定压力水平下且在第一负载端和第二加压负载端之间的工作站本体内移动半导体工件;和第一加压负载端接合的第一模块工具,其中第一模块工具配置以处理半导体工件;以及和第二加压负载端接合的第二模块工具,其中第二模块工具配置以检查由第一模块工具处理的半导体工件。