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    离子布植装置及方法
    1.
    发明公开
    离子布植装置及方法 有权

    公开(公告)号：CN111105969A

    公开(公告)日：2020-05-05

    申请号：CN201910768322.3

    申请日：2019-08-20

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 黄俊荣 ,  褚立新 ,  蔡柏沣 ,  彭宣翰 ,  徐光宏 ,  陈宗纬 ,  徐永璘

    IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

    摘要： 本揭示案的实施例描述一种离子布植装置及方法，即用于离子布植(ion implantation；IMP)制程的系统及方法。系统包括离子植入机、倾斜机构、离子收集设备，及控制单元。离子植入机经配置以在靶上以一角度范围扫描离子束。倾斜机构经配置以支撑该靶并使该靶倾斜。离子收集设备经配置以自靶上的离子束扫描收集喷射离子的分布及数目。控制单元经配置以基于校正角度来调整倾斜角度，校正角度是基于喷射离子的分布及数目确定的。

    虚拟测量先进工艺控制系统和设置方法
    2.
    发明公开
    虚拟测量先进工艺控制系统和设置方法 有权

    公开(公告)号：CN101908495A

    公开(公告)日：2010-12-08

    申请号：CN201010116662.7

    申请日：2010-02-10

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 蔡柏沣 ,  曾衍迪 ,  宋金宁

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/00 ,  G01R31/26

    CPC分类号： G01R31/2894 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

    摘要： 本发明提供一种虚拟测量先进工艺控制系统。在一实施例中，虚拟测量先进工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入，处理多个晶片；测量设备，用以测量至少一个晶片的特性，并且产生真实测量数据，其中晶片包括至少一个品管样品晶片；虚拟测量模块，用以为每一个晶片产生预估测量数据；以及先进工艺控制器，用以接受预估测量数据与真实测量数据，并且根据预估测量数据与真实测量数据，产生工艺设备的工艺输入。本发明的虚拟测量先进工艺控制系统在逐片晶片控制的基础上，更新或调整后的工艺参数毋需执行个别的测量步骤。本发明还提供一种虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法。

    先进工艺控制的方法和装置
    3.
    发明公开
    先进工艺控制的方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN101840207A

    公开(公告)日：2010-09-22

    申请号：CN201010136008.2

    申请日：2010-03-12

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 蔡柏沣 ,  曾衍迪

    IPC分类号： G05B19/04 ,  H01L21/00

    CPC分类号： G05B13/024 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

    摘要： 本发明提供一种先进工艺控制方法和装置，所述方法包括：将第一变数设定为初始值；将第二变数设定为初始值；在先进工艺控制的控制下，根据第一和第二变数的每一个的函数来操作工具；测量第一和第二参数，其中第一和第二参数是不同的，并且有关于工具的操作；根据第一参数的函数，决定第一变数的新变数值，并根据第二参数的函数与第二变数的目前变数值，计算第二变数的新变数值；以及重复上述操作、测量、决定和计算步骤。本发明的技术方案有益于改善先进工艺控制的效能，并减少先进工艺控制的多重输入间的干扰。

    工具优化调节系统和相关方法
    5.
    发明授权
    工具优化调节系统和相关方法 有权

    公开(公告)号：CN103811379B

    公开(公告)日：2016-12-28

    申请号：CN201310028026.2

    申请日：2013-01-24

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 蔡柏沣 ,  何家栋 ,  巫尚霖 ,  王若飞 ,  牟忠一 ,  林进祥

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

    摘要： 本发明提供了用于调节加工工具的工艺参数的各种方法，包括实施这种调节的系统。一种调节加工工具的工艺参数使得通过加工工具所加工的晶圆呈现出期望的工艺监测项目的示例性方法包括：限定行为约束准则和灵敏度调节准则；利用与通过加工工具所加工的晶圆相关联的工艺监测项目数据、与工艺监测项目对每个工艺参数的灵敏度相关联的灵敏度数据、行为约束准则以及灵敏度调节准则生成一组可能的工具调节工艺参数组合；通过该组可能的工具调节工艺参数组合生成一组最优的工具调节工艺参数组合；以及根据最优的工具调节工艺参数组合中的一个配置加工工具。本发明还提供了工具优化调节系统和相关方法。

    由半导体晶片制造集成电路的装置和方法
    8.
    发明授权
    由半导体晶片制造集成电路的装置和方法 失效

    公开(公告)号：CN101859695B

    公开(公告)日：2012-02-22

    申请号：CN201010158437.X

    申请日：2010-03-31

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 曾衍迪 ,  宋金宁 ,  蔡柏沣 ,  牟忠一

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G05B19/41875 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/26

    摘要： 本发明提供一种由半导体晶片制造集成电路的装置和方法，该方法包括：对上述半导体晶片进行第一工艺；取得第一测量数据，用以指出已执行的第一工艺的正确性；使用第一测量数据，用以产生测量校正数据，其中测量校正数据包括有效部分以及无效部分；去除测量校正数据的无效部分，并且以测量校正模型模型化测量校正数据的有效部分；结合测量校正模型与第一工艺的第一工艺模型，用以产生多重解析模型，其中第一工艺模型模型化第一道工艺的输入输出关系；以及分析多重解析模型的响应与第二测量数据，用以控制第二工艺的成效。本发明用以增加先进工艺控制的控制器模块的控制有效性。

    离子布植装置及方法
    9.
    发明授权
    离子布植装置及方法 有权

    公开(公告)号：CN111105969B

    公开(公告)日：2022-07-08

    申请号：CN201910768322.3

    申请日：2019-08-20

    申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人： 黄俊荣 ,  褚立新 ,  蔡柏沣 ,  彭宣翰 ,  徐光宏 ,  陈宗纬 ,  徐永璘

    IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

    摘要： 本揭示案的实施例描述一种离子布植装置及方法，即用于离子布植(ion implantation；IMP)制程的系统及方法。系统包括离子植入机、倾斜机构、离子收集设备，及控制单元。离子植入机经配置以在靶上以一角度范围扫描离子束。倾斜机构经配置以支撑该靶并使该靶倾斜。离子收集设备经配置以自靶上的离子束扫描收集喷射离子的分布及数目。控制单元经配置以基于校正角度来调整倾斜角度，校正角度是基于喷射离子的分布及数目确定的。