半导体装置以及该半导体装置的制造方法。提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成由第一沟道结构穿透的第一层叠结构；形成围绕第二沟道结构并通过第一狭缝和第二狭缝彼此分离的多个电极图案，第二沟道结构联接到第一沟道结构，并且第二狭缝具有不同于第一狭缝的宽度；利用绝缘材料填充第一狭缝和第二狭缝中的每一个以覆盖电极图案的侧壁；以及形成穿过各个第二狭缝中的绝缘材料并延伸以穿过第一层叠结构的多个第三狭缝。