公开(公告)号：CN112310197B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202010411141.8

申请日：2020-05-15

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金熙洙 ,  杨永镐 ,  李昌秀 ,  申完燮

IPC分类号： H01L29/417 ,  H10B43/30 ,  H10B43/20 ,  H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B63/00 ,  H01L21/28

摘要： 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：源极结构；位线；层叠结构，该层叠结构位于源极结构和位线之间；源极接触结构，该源极接触结构穿过层叠结构并且电联接到源极结构；以及保护图案，该保护图案插置在源极接触结构和源极结构之间并且根据保护图案的区域具有变化的厚度。

公开(公告)号：CN118076107A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202310724613.9

申请日：2023-06-16

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 申完燮 ,  康倫豪 ,  金智成

IPC分类号： H10B41/30 ,  H10B41/20 ,  H10B43/30 ,  H10B43/20 ,  H10B63/00

摘要： 本申请涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替层叠的绝缘层和导电层；沟道层，其位于栅极结构中；硅化物层，其位于沟道层中；以及存储器层，其围绕沟道层。沟道层、硅化物层和存储器层中的至少一个包括卤素元素。

公开(公告)号：CN115707247A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210782310.8

申请日：2022-07-05

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 申完燮 ,  金种基 ,  柳丞昱 ,  吴峻硕 ,  李兴宙

IPC分类号： H10B43/27 ,  H10B43/30

摘要： 本申请涉及垂直半导体装置及其制造方法。一种用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在半导体基板上方形成包括源极牺牲层的下层层叠物；在下层层叠物上方形成包括介电层和牺牲层的上层层叠物；形成包括贯穿上层层叠物和下层层叠物的沟道层的垂直沟道结构；在暴露出源极牺牲层时形成贯穿上层层叠物的狭缝；通过去除源极牺牲层形成从狭缝延伸的横向凹陷部；在填充横向凹陷部时形成联接至沟道层的一部分的第一接触层；在第一接触层的暴露表面上方选择性地形成第二接触层；以及在第二接触层上方选择性地形成化学阻挡层。

公开(公告)号：CN110993608B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201910444129.4

申请日：2019-05-27

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 张荣根 ,  申完燮 ,  李起洪 ,  李在重

IPC分类号： H10B41/20

摘要： 半导体装置以及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括多个第二导电图案，多个所述第二导电图案在由第一沟道结构穿透的第一层叠结构上方彼此分离并且包围分别联接到第一沟道结构的多个第二沟道结构。各个第二导电图案包括在第一方向上层叠的多个电极部分以及在第一方向上延伸以联接到电极部分的至少一个连接部分。

公开(公告)号：CN116156877A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211426164.1

申请日：2022-11-14

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 柳丞昱 ,  申完燮

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

摘要： 本发明涉及一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：导线叠层，其包括在垂直于衬底的表面的方向上堆叠在衬底之上的多个第一导线；导电焊盘，其分别从第一导线的边缘部横向延伸；以及接触插塞，其分别耦接到导电焊盘。

公开(公告)号：CN111106126A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910608325.0

申请日：2019-07-08

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 申完燮 ,  李起洪 ,  李在重 ,  张荣根

IPC分类号： H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1157

摘要： 半导体装置以及该半导体装置的制造方法。提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成由第一沟道结构穿透的第一层叠结构；形成围绕第二沟道结构并通过第一狭缝和第二狭缝彼此分离的多个电极图案，第二沟道结构联接到第一沟道结构，并且第二狭缝具有不同于第一狭缝的宽度；利用绝缘材料填充第一狭缝和第二狭缝中的每一个以覆盖电极图案的侧壁；以及形成穿过各个第二狭缝中的绝缘材料并延伸以穿过第一层叠结构的多个第三狭缝。

公开(公告)号：CN118019334A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202310753960.4

申请日：2023-06-25

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金智成 ,  康倫豪 ,  申完燮 ,  田锡旼

IPC分类号： H10B41/20 ,  H10B41/40 ,  H10B43/20 ,  H10B43/40 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其中导电层和绝缘层交替地层叠；接触插塞，其穿过栅极结构在绝缘层的层叠方向上延伸；第一间隔层，其各自位于导电层和接触插塞之间；以及第二间隔层，其各自位于接触插塞和第一间隔层之间。

公开(公告)号：CN111106126B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201910608325.0

申请日：2019-07-08

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 申完燮 ,  李起洪 ,  李在重 ,  张荣根

IPC分类号： H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H10B43/35

摘要： 半导体装置以及该半导体装置的制造方法。提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成由第一沟道结构穿透的第一层叠结构；形成围绕第二沟道结构并通过第一狭缝和第二狭缝彼此分离的多个电极图案，第二沟道结构联接到第一沟道结构，并且第二狭缝具有不同于第一狭缝的宽度；利用绝缘材料填充第一狭缝和第二狭缝中的每一个以覆盖电极图案的侧壁；以及形成穿过各个第二狭缝中的绝缘材料并延伸以穿过第一层叠结构的多个第三狭缝。

公开(公告)号：CN116583106A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310100024.3

申请日：2023-02-09

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 申完燮 ,  柳丞昱 ,  吕丞美

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；体凹陷部，该体凹陷部形成在衬底中；体电介质层，该体电介质层形成在体凹陷部之上；有源层，该有源层在衬底之上沿平行于衬底的方向延伸；接触节点，该接触节点竖向地形成在有源层的一侧的一个端部的侧壁之上；以及导电线，该导电线耦接至接触节点并且从体电介质层竖向地延伸。

公开(公告)号：CN110993608A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910444129.4

申请日：2019-05-27

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 张荣根 ,  申完燮 ,  李起洪 ,  李在重

IPC分类号： H01L27/11551

摘要： 半导体装置以及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括多个第二导电图案，多个所述第二导电图案在由第一沟道结构穿透的第一层叠结构上方彼此分离并且包围分别联接到第一沟道结构的多个第二沟道结构。各个第二导电图案包括在第一方向上层叠的多个电极部分以及在第一方向上延伸以联接到电极部分的至少一个连接部分。