三维堆叠电路结构及其制备方法
摘要:
本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法,属于微电子封装领域,电路基板上设有第一过孔构件,封装底板上设有第二过孔构件,相邻电路基板之间设有第一焊球,第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接,底层电路基板上的第一过孔构件与第二过孔构件导电连接;第一焊球呈预设阵列分布,配合电路基板接地层形成虚拟金属腔体。本发明提供的三维堆叠电路结构及其制备方法,信号路径短,有效降低上层电路基板的接地寄生效应;虚拟金属腔体使各个信号链路通道之间实现高隔离度抑制,在高集成度条件下实现高频信号传输和处理,可调整虚拟金属腔谐振频率,避免微波链路信号在虚拟金属腔体内发生谐振造成电路性能恶化。
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