发明授权
- 专利标题: 三维堆叠电路结构及其制备方法
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申请号: CN201911155674.8申请日: 2019-11-22
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公开(公告)号: CN111128908B公开(公告)日: 2024-04-16
- 发明人: 徐达 , 要志宏 , 罗建 , 赵瑞华 , 魏少伟 , 王乔楠 , 魏爱新 , 秦立峰 , 李秀琴 , 张红梅 , 赵晨安 , 胡欣媛
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 付晓娣
- 主分类号: H01L23/31
- IPC分类号: H01L23/31 ; H01L21/56 ; H01L23/367 ; H01L23/64
摘要:
本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法,属于微电子封装领域,电路基板上设有第一过孔构件,封装底板上设有第二过孔构件,相邻电路基板之间设有第一焊球,第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接,底层电路基板上的第一过孔构件与第二过孔构件导电连接;第一焊球呈预设阵列分布,配合电路基板接地层形成虚拟金属腔体。本发明提供的三维堆叠电路结构及其制备方法,信号路径短,有效降低上层电路基板的接地寄生效应;虚拟金属腔体使各个信号链路通道之间实现高隔离度抑制,在高集成度条件下实现高频信号传输和处理,可调整虚拟金属腔谐振频率,避免微波链路信号在虚拟金属腔体内发生谐振造成电路性能恶化。
公开/授权文献
- CN111128908A 三维堆叠电路结构及其制备方法 公开/授权日:2020-05-08
IPC分类: