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公开(公告)号:CN118016629A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202410148673.5
申请日:2024-02-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/04 , H01L25/16 , H01L21/52
Abstract: 本申请适用于微电子封装技术领域,提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法,该封装结构包括:基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板。微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成;第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧,微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧;芯片和无源器件均设置在基板的上表面上;第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围,隔离电磁干扰;盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间,将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。本申请的方法能够在实现气密封装微同轴器件的同时,解决装配精度较低,I/O互连引脚的节距大及数量少,需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。
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公开(公告)号:CN114101833B
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202111520164.3
申请日:2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种无引线陶瓷器件的搪锡去金方法,属于无引线陶瓷技术领域,包括:在具有多个贯通槽的基板上粘贴胶带,且所述胶带覆盖多个所述贯通槽;将多个无引线陶瓷器件对应地放置于多个所述贯通槽内,以使所述无引线陶瓷器件的搪锡面被所述胶带粘接;在所述贯通槽内印刷阻焊胶,以使所述无引线陶瓷器件除所述搪锡面以外的表面被所述阻焊胶覆盖;去除所述胶带,以使所述搪锡面裸露;将所述基板浸入锡槽内并升起,并在升起时吹平所述搪锡面的焊锡;清洗所述基板;将所述无引线陶瓷器件从所述贯通槽内取出。相对于高温烙铁的方式,搪锡效率高,适合批量生产,对无引线陶瓷器件的热冲击较小,减少无引线陶瓷器件的损伤。
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公开(公告)号:CN111029304B
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN201911155672.9
申请日:2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种抗振三维堆叠电路结构及其制备方法,属于微电子封装领域,包括封装底板、密封罩设于封装底板上表面并与封装底板配合形成容纳腔的金属外壳、沿上下方向层叠设于容纳腔内的电路基板、设于电路基板上表面上的电路元件及设于相邻电路基板上的第一焊球,位于底层的电路基板与封装底板固定连接,相邻的电路基板之间还设有分别与相邻两个电路基板固接的缓冲胶层,缓冲胶层位于电路元件外侧。本发明提供的抗振三维堆叠电路结构及其制备方法,能有效提高堆叠电路结构的抗震动和抗机械冲击能力,避免焊球焊点开裂,同时避免了缓冲胶层使高频信号传输损耗增加进而导致信号传输性能恶化的问题。
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公开(公告)号:CN111146094B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201911226811.2
申请日:2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓功率模块封装方法及加压装置,属于功率模块封装技术领域,氮化镓功率模块封装方法包括:将密封胶印刷至成型模具的型腔内,将印刷了密封胶的成型模具保持水平状态放入60~90℃的真空烘箱内烘焙15~20min,获得预固化成型胶环;将预固化成型胶环贴装在放置了氮化镓功率模块的封装管壳上,将封装管帽与贴装了预固化成型胶环的封装管壳对齐贴装;将贴装了封装管帽的封装管壳放置于加压装置中,在封装管帽顶面施加向下的压力并保压;将对封装管帽施加了预设压力的加压装置放入120~170℃真空烘箱内烘焙3~5h,使预固化成型胶环进行再固化,获得封装完成的氮化镓功率模块。
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公开(公告)号:CN111146094A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201911226811.2
申请日:2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓功率模块封装方法、加压装置及预固化成型胶环,属于功率模块封装技术领域,氮化镓功率模块封装方法包括:将密封胶印刷至成型模具的型腔内,将印刷了密封胶的成型模具保持水平状态放入60~90℃的真空烘箱内烘焙15~20min,获得预固化成型胶环;将预固化成型胶环贴装在放置了氮化镓功率模块的封装管壳上,将封装管帽与贴装了预固化成型胶环的封装管壳对齐贴装;将贴装了封装管帽的封装管壳放置于加压装置中,在封装管帽顶面施加向下的压力并保压;将对封装管帽施加了预设压力的加压装置放入120~170℃真空烘箱内烘焙3~5h,使预固化成型胶环进行再固化,获得封装完成的氮化镓功率模块。
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公开(公告)号:CN111014863A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911204535.X
申请日:2019-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种射频封装外壳的多连接器焊接方法、工装及预成型焊料环,属于射频封装技术领域,包括以下步骤:在射频封装外壳的各个安装孔内嵌装预成型焊料环,将多个连接器依次插装于各个安装孔内;将插装有多个连接器的射频封装外壳放置在焊接工装上,依次调整并夹紧各个连接器至连接器的端面与射频封装外壳的外壁平齐;将夹紧了多个连接器的焊接工装放入回流焊炉,对多个连接器同时进行焊接;将焊接了多个连接器的射频封装外壳由焊接工装上取下并进行质检。本发明提供的射频封装外壳的多连接器焊接方法,通过焊接工装能够使多个连接器与射频封装外壳能够同时进行对齐焊接,焊接外观质量好且焊接效率高,采用预成型焊料环,焊接牢固可靠。
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公开(公告)号:CN114721098B
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202210164043.8
申请日:2022-02-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光电耦合器件,包括管壳基板、光芯片、光学元件和连接支架,连接支架位于管壳基板和光学元件之间。其明热塑性粘固材料受热熔化变形过程中,光学元件的偏移量较小,偏移量可控性更强,继而实现精准耦合。本发明还提供一种光电耦合器件制造方法,能实现精准耦合,同时,相比于传统的光电耦合中采用激光焊接等方式,该方法操作简单,相较于其他光电耦合过程,操作难度更低,操作过程中的参数少且易控制,重复性较好,有利于实现自动化生产,生产效率较高。
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公开(公告)号:CN114247954B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202111520136.1
申请日:2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种浸泡式搪锡除金装置,所述浸泡式搪锡除金装置包括控温锡槽池、电动升降结构、吹气结构以及控制单元,所述控温锡槽池具有向上开口的空腔,所述空腔内用于填充锡液;所述电动升降结构具有能上下移动的升降部,所述升降部用于固定带有搪锡器件的基板,并位于所述空腔的正上方;所述吹气结构设于所述空腔的开口处,并具有用于朝向基板吹气的吹气口;所述控制单元分别与所述电动升降结构和所述控温锡槽池通讯连接,用于控制所述空腔内锡液的温度,以及所述升降部的启停。本发明提供的浸泡式搪锡除金装置,过程简单,不需要指定有经验的人员操作;提高了处理效率,节省了时间和人力;能对基板上LCCC器件搪锡面的锡液进行吹平和吹干。
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公开(公告)号:CN114247954A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202111520136.1
申请日:2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种浸泡式搪锡除金装置,所述浸泡式搪锡除金装置包括控温锡槽池、电动升降结构、吹气结构以及控制单元,所述控温锡槽池具有向上开口的空腔,所述空腔内用于填充锡液;所述电动升降结构具有能上下移动的升降部,所述升降部用于固定带有搪锡器件的基板,并位于所述空腔的正上方;所述吹气结构设于所述空腔的开口处,并具有用于朝向基板吹气的吹气口;所述控制单元分别与所述电动升降结构和所述控温锡槽池通讯连接,用于控制所述空腔内锡液的温度,以及所述升降部的启停。本发明提供的浸泡式搪锡除金装置,过程简单,不需要指定有经验的人员操作;提高了处理效率,节省了时间和人力;能对基板上LCCC器件搪锡面的锡液进行吹平和吹干。
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公开(公告)号:CN114101833A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111520164.3
申请日:2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种无引线陶瓷器件的搪锡去金方法,属于无引线陶瓷技术领域,包括:在具有多个贯通槽的基板上粘贴胶带,且所述胶带覆盖多个所述贯通槽;将多个无引线陶瓷器件对应地放置于多个所述贯通槽内,以使所述无引线陶瓷器件的搪锡面被所述胶带粘接;在所述贯通槽内印刷阻焊胶,以使所述无引线陶瓷器件除所述搪锡面以外的表面被所述阻焊胶覆盖;去除所述胶带,以使所述搪锡面裸露;将所述基板浸入锡槽内并升起,并在升起时吹平所述搪锡面的焊锡;清洗所述基板;将所述无引线陶瓷器件从所述贯通槽内取出。相对于高温烙铁的方式,搪锡效率高,适合批量生产,对无引线陶瓷器件的热冲击较小,减少无引线陶瓷器件的损伤。
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