本发明公开一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备，涉及集成电路制造技术领域，以采用含钴材料作为扩散阻挡层，降低导电互连结构的总电阻，提升导电互连结构的电传输特性。所述电子器件包括：衬底、形成在衬底上方的至少一层介电层以及至少一个导电互连结构。每层介电层开设至少一个互连过孔。至少一个互连过孔被至少一个导电互连结构一一对应贯穿。每个导电互连结构包括沿着互连过孔的孔深减小方向分布的扩散阻挡层和导电层。扩散阻挡层内含有钴材料。所述电子器件的制作方法应用于制作电子器件，所述电子器件应用于集成电路和电子设备中。