一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法
摘要:
本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法,铂溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸为5~20;所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于3。制备方法包括:选择4N及以上纯度的铂原料,熔炼获得铸锭;随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压,消除缺陷;再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制;再进行低温退火;最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合,较低压制及退火温度组合,获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜,其制备方法工艺简便,条件温和易操控,大大提高生产效率,极大地节约制备成本。
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