- 专利标题: 一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法
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申请号: CN202010186276.9申请日: 2020-03-17
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公开(公告)号: CN111254398B公开(公告)日: 2021-11-12
- 发明人: 闻明 , 许彦婷 , 郭俊梅 , 管伟明 , 谭志龙 , 王传军 , 沈月 , 普志辉 , 刘牛 , 杨海
- 申请人: 贵研铂业股份有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区高新技术产业开发区科技路988号
- 专利权人: 贵研铂业股份有限公司
- 当前专利权人: 贵研铂业股份有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区高新技术产业开发区科技路988号
- 代理机构: 昆明知道专利事务所
- 代理商 姜开侠; 姜开远
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C22F1/14 ; C22B11/00 ; C22B9/00 ; G01N29/04 ; C22F1/02
摘要:
本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法,铂溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸为5~20;所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于3。制备方法包括:选择4N及以上纯度的铂原料,熔炼获得铸锭;随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压,消除缺陷;再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制;再进行低温退火;最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合,较低压制及退火温度组合,获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜,其制备方法工艺简便,条件温和易操控,大大提高生产效率,极大地节约制备成本。
公开/授权文献
- CN111254398A 一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法 公开/授权日:2020-06-09
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