一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN111270210B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202010186065.5

    申请日:2020-03-17

    摘要: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法,钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸1‑10μm,氧含量100 ppm以内;所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤:选择4N及以上纯度,粒度为1‑10μm的钌粉;随后将粉末进行冷压成型;再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结;再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度;最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛,使得钌溅射靶材性能优异,高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜,制备工艺简便,条件温和易于操控,而且可大大提高生产效率,极大地节约制备成本。

    一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN111270210A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN202010186065.5

    申请日:2020-03-17

    摘要: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法,钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸1-10 μm,氧含量100 ppm以内;所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤:选择4N及以上纯度,粒度为1-10 μm的钌粉;随后将粉末进行冷压成型;再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结;再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度;最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛,使得钌溅射靶材性能优异,高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜,制备工艺简便,条件温和易于操控,而且可大大提高生产效率,极大地节约制备成本。

    一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN111235536A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010186255.7

    申请日:2020-03-17

    摘要: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法,铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸1-10μm,氧含量100 ppm以内;所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤:选择4N及以上纯度,粒度为1-10μm的铱粉;随后将粉末进行冷压成型;再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结;再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度;最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛,使得铱溅射靶材性能优异,高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜,制备工艺简便,条件温和易于操控,而且可大大提高了生产效率,极大地节约制备成本。

    一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN111254398A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN202010186276.9

    申请日:2020-03-17

    摘要: 本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法,铂溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸为5~20 ;所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于3。制备方法包括:选择4N及以上纯度的铂原料,熔炼获得铸锭;随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压,消除缺陷;再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制;再进行低温退火;最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合,较低压制及退火温度组合,获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜,其制备方法工艺简便,条件温和易操控,大大提高生产效率,极大地节约制备成本。

    一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN111254398B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202010186276.9

    申请日:2020-03-17

    摘要: 本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法,铂溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸为5~20;所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于3。制备方法包括:选择4N及以上纯度的铂原料,熔炼获得铸锭;随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压,消除缺陷;再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制;再进行低温退火;最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合,较低压制及退火温度组合,获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜,其制备方法工艺简便,条件温和易操控,大大提高生产效率,极大地节约制备成本。

    一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN111235536B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202010186255.7

    申请日:2020-03-17

    摘要: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法,铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向,致密度不低于99.5%,晶粒尺寸1‑10 μm,氧含量100 ppm以内;所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤:选择4N及以上纯度,粒度为1‑10 μm的铱粉;随后将粉末进行冷压成型;再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结;再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度;最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛,使得铱溅射靶材性能优异,高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜,制备工艺简便,条件温和易于操控,而且可大大提高了生产效率,极大地节约制备成本。