- 专利标题： 硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法
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申请号： CN201911269619.1申请日： 2019-12-11
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公开(公告)号： CN111303885A公开(公告)日： 2020-06-19
- 发明人: 柳浩成 , 金明炫 , 文暎善 , 李浚银 , 张平和
- 申请人： OCI有限公司
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： OCI有限公司
- 当前专利权人： OCI有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 吕琳; 宋东颖
- 优先权： 10-2018-0159735 2018.12.12 KR
- 主分类号： C09K13/06
- IPC分类号： C09K13/06 ; H01L21/306
摘要：
本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。
公开/授权文献
- CN111303885B 硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法 公开/授权日：2023-01-13
