公开(公告)号：CN112210378B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202010553522.X

申请日：2020-06-17

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  权泰秀 ,  金明炫 ,  李浚银

IPC分类号： C09K13/06

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法，更详细地，提供一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法，即，在氮化硅膜蚀刻溶液中，由化学式1表示的反式(trans)结构的化合物在蚀刻条件下增加与氧化硅膜的结合，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻速度。

公开(公告)号：CN112322295B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202010553655.7

申请日：2020-06-17

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，在蚀刻条件下，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比的同时，提高在水或酸条件下的储存稳定性。

公开(公告)号：CN112210380A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010554003.5

申请日：2020-06-17

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银

IPC分类号： C09K13/08 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，通过将氨基酸类、硫酯类(thioester)或酯类基团引入胶体二氧化硅粒子之间来防止硅类颗粒的产生，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比。

公开(公告)号：CN112779014B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202011095759.4

申请日：2020-10-14

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  梁俊镐 ,  庾煉晳 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C09K13/10 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN112210379B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202010554002.0

申请日：2020-06-17

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及包括通过使用其来进行的蚀刻工序的半导体器件的制备方法，该氮化硅膜蚀刻溶液中包含具有杂芳基类取代基的化合物，因此不易分解且在磷酸水溶液中显出高分布度，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN111303885A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911269619.1

申请日：2019-12-11

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  文暎善 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN112521946B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202010709396.2

申请日：2020-07-22

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  梁俊镐 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，确保滴定溶解度，在低温下不易分解，在蚀刻条件下容易分解以防止生长成硅类颗粒，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN111303885B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201911269619.1

申请日：2019-12-11

申请人： OCI有限公司(KR)

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  文暎善 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN111117625B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201911051517.2

申请日：2019-10-31

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  文暎善 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用其来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN111484850B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202010058349.6

申请日：2020-01-19

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及一种硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明涉及硅基板蚀刻溶液，更详细地，涉及可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(硅)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。