公开(公告)号：CN110021527B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201811547804.8

申请日：2018-12-18

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  韩承弦

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明涉及蚀刻用组合物及利用其的半导体器件的制备方法。本发明涉及包含由下列化学式1表示的氨基‑硅氧烷化合物及溶剂的蚀刻用组合物，本发明的蚀刻用组合物可将氧化膜的蚀刻率最小化，而且可以选择性地除去氮化膜，对抑制对器件特性产生坏影响的微粒的产生其效果卓越。化学式1：#imgabs0#

公开(公告)号：CN109216187B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201810734849.X

申请日：2018-07-06

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  金容逸 ,  朴镇

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含在半导体制造工序中进行湿法蚀刻时，最小化氧化膜的蚀刻率的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包含利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN110655924B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201910573064.3

申请日：2019-06-28

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  文暎善 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/08

摘要： 本发明涉及硅衬底蚀刻溶液，更加详细地，涉及当蚀刻氮化硅膜时，与氧化硅膜相比可提高对氮化硅膜的蚀刻选择比并提高高温稳定性的硅衬底蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN110655924A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910573064.3

申请日：2019-06-28

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  文暎善 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/08

摘要： 本发明涉及硅衬底蚀刻溶液，更加详细地，涉及当蚀刻氮化硅膜时，与氧化硅膜相比可提高对氮化硅膜的蚀刻选择比并提高高温稳定性的硅衬底蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN112779014B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202011095759.4

申请日：2020-10-14

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  梁俊镐 ,  庾煉晳 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C09K13/10 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN111303885A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911269619.1

申请日：2019-12-11

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  文暎善 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法，更详细地，涉及通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(例如，硅酸)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(例如，硅酸)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN109216187A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810734849.X

申请日：2018-07-06

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  金容逸 ,  朴镇

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含在半导体制造工序中进行湿法蚀刻时，最小化氧化膜的蚀刻率的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包含利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN111484850B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202010058349.6

申请日：2020-01-19

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及一种硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明涉及硅基板蚀刻溶液，更详细地，涉及可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来在蚀刻硅烷化合物(硅)氮化膜时相对于硅氧化膜提高对硅氮化膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

公开(公告)号：CN112521946A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010709396.2

申请日：2020-07-22

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳浩成 ,  金明炫 ,  梁俊镐 ,  李浚银 ,  张平和

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，确保滴定溶解度，在低温下不易分解，在蚀刻条件下容易分解以防止生长成硅类颗粒，可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

公开(公告)号：CN109207151B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201810730527.8

申请日：2018-07-05

申请人： OCI有限公司

发明人： 柳灏成 ,  李浚银 ,  张平和 ,  金容逸 ,  朴镇

IPC分类号： C09K13/04 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法：化学式1：在所述化学式1中，n为0至4的整数，R1至R3各自独立地选自由氢、卤素、羟基、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，R1至R3中的一种以上为羟基，R4选自由氢、卤素、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中，X1为‑(C(R5)(R6))m‑，m为0至3，R5及R6各自独立地选自由氢、C1～C10的烷基及C3～C10的环烷基组成的组中。