发明授权
- 专利标题： 用于离轴移动的MEMS传感器补偿
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申请号： CN201880073371.9申请日： 2018-10-16
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公开(公告)号： CN111344575B公开(公告)日： 2021-11-30
- 发明人: I·古尔因 , J·塞格尔 , M·汤普森
- 申请人： 应美盛股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 应美盛股份有限公司
- 当前专利权人： 应美盛股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 张丹
- 优先权： 15/811,471 20171113 US
- 国际申请： PCT/US2018/055998 2018.10.16
- 国际公布： WO2019/094151 EN 2019.05.16
- 进入国家日期： 2020-05-13
- 主分类号： G01P21/00
- IPC分类号： G01P21/00 ; G01P15/13 ; G01P15/125 ; G01P15/08 ; B81B5/00 ; G01C19/5719
摘要：
微机电系统(MEMS)传感器包括MEMS层，该MEMS层包括固定电极和可移动电极。响应于平面内线性加速度，可移动电极相对于固定电极移动，并且加速度基于所得的电容的变化来确定。多个辅助电极位于MEMS传感器的基板上并且在MEMS层下方，使得MEMS层和辅助负载之间的电容响应于MEMS层或其一部分的平面外移动而变化。MEMS传感器基于由辅助电极感测到的电容来补偿加速度值。
公开/授权文献
- CN111344575A 用于离轴移动的MEMS传感器补偿 公开/授权日：2020-06-26
