发明公开
- 专利标题： 具有空间原子层沉积的自对准式双图案化
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申请号： CN202010350832.1申请日： 2015-01-13
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公开(公告)号： CN111430224A公开(公告)日： 2020-07-17
- 发明人: 李宁 , V·恩古耶 , M·巴尔西努 , 夏立群 , 田中启一 , S·D·马克斯
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 杨学春
- 优先权： 61/926,589 2014.01.13 US
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/033 ; H01L21/311 ; H01J37/32 ; H01L21/687 ; C23C16/455
摘要：
提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。
公开/授权文献
- CN111430224B 具有空间原子层沉积的自对准式双图案化 公开/授权日：2023-07-28
IPC分类:
