- 专利标题： 光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法
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申请号： CN201911075216.3申请日： 2019-11-06
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公开(公告)号： CN111435217A公开(公告)日： 2020-07-21
- 发明人: 金二权 , 金相辰 , 高熙英 , 金熙范 , 金勋 , 崔烘硕 , 许晋硕
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 屈玉华
- 优先权： 10-2019-0004779 2019.01.14 KR
- 主分类号： G03F1/52
- IPC分类号： G03F1/52 ; G03F1/56 ; H01L21/027
摘要：
公开了光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。光掩模包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域；反射层，在图案区域上并且延伸到周边区域上；吸收结构，在反射层上；以及电介质图案，在周边区域上的吸收结构上，并且暴露图案区域上的吸收结构。
公开/授权文献
- CN111435217B 光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法 公开/授权日：2024-05-28
