公开(公告)号：CN111435217B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911075216.3

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金二权 ,  金相辰 ,  高熙英 ,  金熙范 ,  金勋 ,  崔烘硕 ,  许晋硕

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/56 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。光掩模包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域；反射层，在图案区域上并且延伸到周边区域上；吸收结构，在反射层上；以及电介质图案，在周边区域上的吸收结构上，并且暴露图案区域上的吸收结构。

公开(公告)号：CN111880374A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201911345549.3

申请日：2019-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  高熙英 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。

公开(公告)号：CN111880374B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201911345549.3

申请日：2019-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  高熙英 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。

公开(公告)号：CN111435217A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201911075216.3

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金二权 ,  金相辰 ,  高熙英 ,  金熙范 ,  金勋 ,  崔烘硕 ,  许晋硕

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/56 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。光掩模包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域；反射层，在图案区域上并且延伸到周边区域上；吸收结构，在反射层上；以及电介质图案，在周边区域上的吸收结构上，并且暴露图案区域上的吸收结构。