公开(公告)号：CN110109322B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201811376093.2

申请日：2018-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗志勋 ,  李东根 ,  金熙范

IPC: G03F1/84

Abstract: 提供了一种利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法，所述系统包括：板，构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模；以及波带片，构造为将EUV光分为零级光和第一级光，并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括：检测器，构造为接收由反射EUV掩模反射的EUV光，并包括构造为产生第一图像信号的零级光检测区域和构造为产生第二图像信号的第一级光检测区域；以及计算器，构造为从第一图像信号和第二图像信号产生补偿的第三图像信号。第三图像信号可以用于确定反射EUV掩模的掩模图案之间的距离。

公开(公告)号：CN107845573B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201710811888.0

申请日：2017-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛席 ,  权星元 ,  金熙范 ,  李东根

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66

Abstract: 公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。

公开(公告)号：CN111435217A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201911075216.3

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金二权 ,  金相辰 ,  高熙英 ,  金熙范 ,  金勋 ,  崔烘硕 ,  许晋硕

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/56 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。光掩模包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域；反射层，在图案区域上并且延伸到周边区域上；吸收结构，在反射层上；以及电介质图案，在周边区域上的吸收结构上，并且暴露图案区域上的吸收结构。

公开(公告)号：CN111435217B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911075216.3

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金二权 ,  金相辰 ,  高熙英 ,  金熙范 ,  金勋 ,  崔烘硕 ,  许晋硕

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/56 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。光掩模包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域；反射层，在图案区域上并且延伸到周边区域上；吸收结构，在反射层上；以及电介质图案，在周边区域上的吸收结构上，并且暴露图案区域上的吸收结构。

公开(公告)号：CN110119064A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910066838.3

申请日：2019-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文勇升 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48

Abstract: 本发明涉及表膜和包括其的掩模版。提供待用于光刻工艺的表膜。该表膜包括如下的膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，该膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。

公开(公告)号：CN110119064B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201910066838.3

申请日：2019-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文勇升 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48

Abstract: 本发明涉及表膜和包括其的掩模版。提供待用于光刻工艺的表膜。该表膜包括如下的膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，该膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。

公开(公告)号：CN117452763A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310912279.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵亨钟 ,  黄炫晶 ,  金熙范 ,  沈星辅 ,  李承润 ,  郑羽容 ,  黄灿

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/42

Abstract: 本公开提供了反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法。一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中具有预定线宽的线和间隔图案。

公开(公告)号：CN110109322A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201811376093.2

申请日：2018-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗志勋 ,  李东根 ,  金熙范

IPC: G03F1/84

Abstract: 提供了一种利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法，所述系统包括：板，构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模；以及波带片，构造为将EUV光分为零级光和第一级光，并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括：检测器，构造为接收由反射EUV掩模反射的EUV光，并包括构造为产生第一图像信号的零级光检测区域和构造为产生第二图像信号的第一级光检测区域；以及计算器，构造为从第一图像信号和第二图像信号产生补偿的第三图像信号。第三图像信号可以用于确定反射EUV掩模的掩模图案之间的距离。

公开(公告)号：CN108663898B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201810264409.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓徹 ,  金文子 ,  权星元 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。

公开(公告)号：CN108663898A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810264409.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓徹 ,  金文子 ,  权星元 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F7/2008 ,  G03F1/48 ,  G03F7/2004

Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。