发明授权
- 专利标题： 半导体器件
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申请号： CN202010050572.6申请日： 2020-01-17
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公开(公告)号： CN111463277B公开(公告)日： 2023-12-19
- 发明人: 登尾正人 , 斋藤顺 , 渡边行彦
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 刘炳胜
- 优先权： 2019-007837 2019.01.21 JP
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423
摘要：
一种半导体器件包括倒置型半导体元件，该倒置型半导体元件包括：半导体衬底(1)；形成于半导体衬底上的第一导电类型层(2)；形成于第一导电类型层上并包括线性形状部分的电场阻挡层(4)；形成于第一导电类型层上并具有线性形状部分的JFET(3)部分；形成于电场阻挡层和JFET部分上的电流分散层(5)；形成于电场阻挡层和JFET部分上的深层(7)；形成于电流分散层和深层上的基区(6)；形成于基区上的源区(8)；包括栅极沟槽(11)、栅极绝缘膜(12)和栅电极缘(14)；源电极(15)；以及形成于半导体衬底的背表面侧上的漏电极(16)。(13)并布置成条形形状的沟槽栅极结构；层间绝
公开/授权文献
- CN111463277A 半导体器件 公开/授权日：2020-07-28
IPC分类:
