- 专利标题: 基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法
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申请号: CN202010284433.X申请日: 2020-04-13
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公开(公告)号: CN111463290B公开(公告)日: 2022-04-15
- 发明人: 曾祥斌 , 鲁基昌 , 王文照 , 陆晶晶 , 王士博 , 胡一说 , 肖永红 , 王君豪 , 周宇飞 , 袁俊茹 , 王曦雅
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 上海慧晗知识产权代理事务所
- 代理商 苏蕾
- 主分类号: H01L29/808
- IPC分类号: H01L29/808 ; H01L29/06 ; H01L21/336 ; H01L29/10 ; H01L29/24
摘要:
本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法,其中的基于MoS2的同质结结型场效应管,包括:硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极;所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧,所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面;所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面,所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面,且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。
公开/授权文献
- CN111463290A 基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法 公开/授权日:2020-07-28
IPC分类: