公开(公告)号：CN109920852A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910148943.1

申请日：2019-02-28

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  肖永红 ,  胡一说 ,  任婷婷 ,  靳雯 ,  曾洋 ,  王士博 ,  郭振宇 ,  曾薏蓉 ,  鲁基昌

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种基于激光直写的器件制备方法、二维材料器件与MoS2场效应晶体管，所述的方法，包括：在绝缘衬底结构的中间区域涂覆未掺杂前驱体溶液；对所述中间区域进行激光直写，以在所述中间区域形成有源层；所述有源层为本征过渡金属硫族化合物薄膜；在所述绝缘衬底结构的未形成所述有源层的边缘区域涂覆n型掺杂前驱体溶液；对所述边缘区域进行激光直写，以在所述边缘区域形成源漏区层；所述源漏区层为n型过渡金属硫族化合物薄膜；在所述源漏区层蒸镀电极结构，得到所需的二维材料器件。本发明无需进行光刻等图形化步骤，简化了制备工艺。

公开(公告)号：CN111463290A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010284433.X

申请日：2020-04-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  鲁基昌 ,  王文照 ,  陆晶晶 ,  王士博 ,  胡一说 ,  肖永红 ,  王君豪 ,  周宇飞 ,  袁俊茹 ,  王曦雅

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24

摘要： 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。

公开(公告)号：CN109273543B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201811268952.6

申请日：2018-10-29

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  郭振宇 ,  王文照 ,  胡一说 ,  吴少雄 ,  周广通 ,  曾洋 ,  任婷婷 ,  靳雯 ,  鲁基昌 ,  曾薏蓉 ,  肖永红

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  B82Y20/00

摘要： 本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中1T‑WS2与2H‑WS2通过范德华力相连，使得光生载流子能够在交界面上分离，且1T‑WS2具有很高的电子迁移率，能够极大地提升光响应；另外，纳米颗粒的近场振荡、散射效应以及从纳米颗粒到WS2的载流子的注入效应能增加光电流、加快响应速率。这种光探测器不仅具有优异的响应特性，而且制备方法简单、成本较低，在光电领域具有非常好的应用前景。

公开(公告)号：CN111463290B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202010284433.X

申请日：2020-04-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  鲁基昌 ,  王文照 ,  陆晶晶 ,  王士博 ,  胡一说 ,  肖永红 ,  王君豪 ,  周宇飞 ,  袁俊茹 ,  王曦雅

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24

摘要： 本发明提供了一种基于MoS2的同质结结型场效应管及其制备方法，其中的基于MoS2的同质结结型场效应管，包括：硅衬底、N型二硫化钼薄膜、P型二硫化钼薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述N型二硫化钼薄膜设于所述硅衬底的一侧，所述P型二硫化钼薄膜嵌入于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面；所述栅电极设于所述P型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，所述源电极与所述漏电极设于所述N型二硫化钼薄膜的与所述硅衬底相背的一侧表面，且所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极之间。

公开(公告)号：CN111463268A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010284778.5

申请日：2020-04-13

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  曾薏蓉 ,  王士博 ,  鲁基昌 ,  陆晶晶 ,  胡一说 ,  王文照 ,  肖永红 ,  袁俊茹 ,  周宇飞 ,  王君豪 ,  王曦雅

IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L21/02 ,  H01L21/44

摘要： 本发明提供了一种二硫化钼半导体的欧姆接触结构及其制备方法，二硫化钼半导体的欧姆接触结构，包括：基片、二硫化钼薄膜、掺杂二硫化钼薄膜、第一电极与第二电极；所述二硫化钼薄膜位于所述基片的一侧，所述掺杂二硫化钼薄膜形成于所述二硫化钼薄膜的与所述基片相背的一侧，所述第一电极设于所述掺杂二硫化钼薄膜的与所述二硫化钼薄膜相背的一侧，且与所述掺杂二硫化钼薄膜接触，所述第二电极设于所述第一电极的与所述掺杂二硫化钼薄膜相背的一侧，所述第一电极与所述第二电极为不同材料的金属。

公开(公告)号：CN109273543A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811268952.6

申请日：2018-10-29

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  郭振宇 ,  王文照 ,  胡一说 ,  吴少雄 ,  周广通 ,  曾洋 ,  任婷婷 ,  靳雯 ,  鲁基昌 ,  曾薏蓉 ,  肖永红

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  B82Y20/00

摘要： 本发明公开了一种硫族化合物膜上涂覆纳米颗粒的晶体管及制备方法与应用，属于微电子及光电子技术领域。包括具有二氧化硅绝缘层的硅衬底、1T相过渡金属硫族化合物膜、2H相过渡金属硫族化合物膜、电极A、电极B和纳米颗粒层。本发明中1T-WS2与2H-WS2通过范德华力相连，使得光生载流子能够在交界面上分离，且1T-WS2具有很高的电子迁移率，能够极大地提升光响应；另外，纳米颗粒的近场振荡、散射效应以及从纳米颗粒到WS2的载流子的注入效应能增加光电流、加快响应速率。这种光探测器不仅具有优异的响应特性，而且制备方法简单、成本较低，在光电领域具有非常好的应用前景。