- 专利标题: 一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法
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申请号: CN202010543296.7申请日: 2020-06-15
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公开(公告)号: CN111705361B公开(公告)日: 2021-05-11
- 发明人: 张俐楠 , 陈建龙 , 朱伟华 , 吴立群 , 王洪成
- 申请人: 杭州电子科技大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号
- 专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人: 深圳万知达技术转移中心有限公司
- 当前专利权人地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道横朗社区华兴路13号智云产业园A栋1003
- 代理机构: 浙江千克知识产权代理有限公司
- 代理商 周希良
- 主分类号: C30B29/06
- IPC分类号: C30B29/06 ; C30B33/12 ; C30B33/04 ; C30B33/02
摘要:
本发明公开了一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法,包括步骤:S1:在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔;S2:采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板,钼板电极分别与直流电源连接;S3:将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内,保证管内真空环境,向管内通入一定流量的纯氩气;S4:将钼板放置在水平管式炉的上下两侧;S5:调节直流电压控制电场强度,并进行热处理。本发明在温度场的基础上,拟通过引入电场,通过调节电场强度、方向、作用时间等参数,利用热‑电耦合抵消内部机械应力,来保障硅基内部结构的稳定成形。
公开/授权文献
- CN111705361A 一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法 公开/授权日:2020-09-25
IPC分类: