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公开(公告)号：CN119517805A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411648747.8
申请日：2024-11-18
Applicant: 江苏天芯微半导体设备有限公司
Inventor： 陈佳伟
Abstract: 本发明提供一种应用于晶圆处理设备的气体分配方法，包括：S1、提供控制器、压力计、主管路和至少一支路管路；所述控制器分别与所述压力计和所述阀连接；S2、控制器根据所述压力计的不同的前多个时钟周期的所述压力值的均值的变化控制所述阀的开度值。本发明的气体分配方法可以提供稳定的流量变化。
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公开(公告)号：CN118973371A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411445981.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，本发明利用分子束外延室内中的氩离子对因跨设备转移而暴露过空气的单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，氩离子经过阳极电场的加速，与单晶TiN薄膜表面发生碰撞，从而将单晶TiN薄膜表面的杂质原子和灰尘去除，解决了跨设备原位生长需要增加高成本和导致薄膜表面污染的问题，同时，相对于高温退火技术，本发明的刻蚀方法能够大大降低生长时间，还能避免污染超真空视窗，以及避免影响设备使用寿命，然后在接近的单晶TiN薄膜表面在超真空下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，获得TiN/Bi2Se3拓扑超导异质结。
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公开(公告)号：CN118326516A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410679900.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碱性蒸汽腐蚀碳化硅晶片设备及操作方法，包括右端开设有进料开口且为圆柱形结构的腐蚀筒和用于承载碳化硅晶片的承载架，所述腐蚀筒的底部设置有加热器，且所述加热器的外表面设置有保温壳体，所述加热器内部的加热腔通过所述腐蚀筒内腔底部设置有通气开口与所述腐蚀筒内腔相通，特征在于：还包括密封驱动单元、自动加液单元和雾化清洗降温单元。本设备的自动加液单元可根据碳化硅晶片的数量自动添加适量的碱性溶液，无需人工手动添加操作，且无需牢记所放置碳化硅晶片的数量。
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公开(公告)号：CN117947509A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311865632.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MPCVD工艺的N型硼‑氧共掺金刚石结构及其制备方法，先将经过预处理后的金刚石衬底置于MPCVD腔体中，通入刻蚀气体进行刻蚀，消除金刚石衬底表面残余污染物；然后通入碳源气体，调整微波功率和MPCVD腔体内压力至沉积温度和压力，在金刚石衬底上外延本征金刚石层；之后通入硼源和氧源，在本征金刚石层上沉积硼‑氧共掺的单晶金刚石；最后关闭碳源气体、硼源和氧源，保留刻蚀气体，刻蚀掉硼‑氧共掺的单晶金刚石表面的非晶碳，形成N型硼‑氧共掺金刚石层。本发明的制备方法步骤简单、成本低、可调控掺杂浓度。制备的N型金刚石薄膜兼具高电子迁移率和高电子浓度，可广泛用于金刚石基电子器件的制造，特别是高功率器件。
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公开(公告)号：CN114430781B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202080055202.X
申请日：2020-08-05
IPC: H01L21/324 , C30B23/06 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC籽晶、SiC晶锭、SiC晶片和具有外延膜的SiC晶片的新颖技术。本发明是一种用于SiC晶锭生长的SiC籽晶的制造方法，其具有：热处理步骤(S1)，在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理。这样，通过在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理，可以制造高品质的SiC籽晶(11)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117423759A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311388732.8
申请日：2023-10-24
Applicant: 天合光能股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种金字塔绒面的制作方法，所述金字塔绒面的制作方法包括如下步骤：S1、准备硅片；S2、对硅片进行预处理以形成均匀排列的成核点；S3、对硅片进行湿法金字塔刻蚀。即仅通过增加一道预处理工艺，便可使得通过湿法金字塔刻蚀形成的金字塔结构均匀排列，大小不统一，进而使得金字塔结构反射率更低，制作的电池片短路电流更高，转化效率更高。此外，对硅片进行预处理，使得硅片表面缺陷均匀分布，进而实现成核时间的相对统一以及成核位置的确定，极大的缩短了成核过程的工艺时间，提高量产性。
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公开(公告)号：CN112513348B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201980048251.8
申请日：2019-07-24
IPC: C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/12 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。
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公开(公告)号：CN115161776B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210616876.3
申请日：2022-06-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导化学气相刻蚀YIG薄膜的方法，该方法包括：在YIG膜基片上依次镀铜膜、金膜作为掩膜层，旋涂光刻胶后进行曝光、显影得到预刻图案，再使用激光诱导HCl、HF、Ar混合气体化学腐蚀YIG膜刻蚀窗口，最后依次剥离光刻胶、铜膜、金膜，得到具有预设图形的YIG膜；本发明通过使用铜膜、金膜作为掩膜层，将激光物理刻蚀和HCl、HF混合气体化学刻蚀有机结合进行干法刻蚀YIG膜，有效保护了非刻蚀窗口区，提高了刻蚀精度及速度。
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公开(公告)号：CN116855992A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310802655.X
申请日：2023-07-03
Applicant: 东南大学
IPC: C25B11/087 , C02F1/461 , C02F1/72 , C25B11/053 , C25B1/04 , B82Y40/00 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B29/40 , C30B33/12 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种具有高光电催化分解水能力的异质结构及其制备方法，所述异质结构由下至上依次设置有衬底、缓冲层、GaN纳米柱、掩膜层、InxGa1‑xN包覆层，其中GaN纳米柱和InxGa1‑xN包覆层所属的六方晶系的c轴方向平行于柱状结构侧壁的法线方向。本发明提供的异质结构，能够通过调节InxGa1‑xN包覆层的In和Ga组分实现全可见光谱波长范围的光吸收并产生光生载流子，同时利用InxGa1‑xN包覆层中的压电极化电场促进光生电子和光生空穴的分离，使得电子、空穴分别定向迁移至InxGa1‑xN包覆层的两侧；并且由于分立的纳米柱状InxGa1‑xN/GaN结构所具有的大比表面积，为光生载流子提供了更多参与光电催化分解水的反应位点，有利于提高光生载流子的利用率及光电催化分解水制氢的效率。
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公开(公告)号：CN116631850B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310904578.9
申请日：2023-07-24
Applicant: 无锡邑文电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及低损伤碳化硅界面的处理方法，包括清洗，去除碳化硅晶圆表面的浆液层；利用第一刻蚀气体刻蚀C原子层，第一刻蚀气体包括Ar和O2；利用第二刻蚀气体刻蚀Si原子层，第二刻蚀气体包括SF6；重复交替进行刻蚀C原子层的步骤和刻蚀Si原子层的步骤。本发明的处理方法能够进一步有效地提高碳化硅晶圆的表面质量。
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