发明授权
- 专利标题: 一种自屏蔽DD中子发生器
-
申请号: CN202010454689.0申请日: 2020-05-26
-
公开(公告)号: CN111712032B公开(公告)日: 2021-05-04
- 发明人: 张凯 , 陈红涛 , 赵芳 , 鲍杰 , 阮锡超 , 刘世龙 , 侯龙 , 龚新宝 , 刘邢宇 , 张坤
- 申请人: 中国原子能科学研究院
- 申请人地址: 北京市房山区新镇三强路1号院
- 专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人: 中国原子能科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市房山区新镇三强路1号院
- 代理机构: 北京天悦专利代理事务所
- 代理商 任晓航; 胡明军
- 主分类号: H05H3/06
- IPC分类号: H05H3/06
摘要:
本发明属于中子发生器技术领域,具体涉及一种自屏蔽DD中子发生器,包括由第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢组成的密封的立方体型的屏蔽体,第一屏蔽体(1)内部设置第一空腔(3),第二屏蔽体(2)内部设置第二空腔(82),当第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢时,第一空腔(3)和第二空腔(82)共同构成设置中子发生器的主体部分的设备舱;中子发生器的主体部分用于通过DD反应产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制,结构可以拆分,主要耗材是可维修的靶片、离子源,寿命基本不受限制;占地面积仅2m2,实现了DD中子发生器在普通房间中的使用,无需单独建造中子屏蔽厅。
公开/授权文献
- CN111712032A 一种自屏蔽DD中子发生器 公开/授权日:2020-09-25