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公开(公告)号：CN116752086A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310554135.1
申请日：2023-05-17
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于核反应测量技术领域，具体涉及一种U型自支撑靶膜的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，通过衬底材料制备靶膜；步骤S2，脱模；步骤S3，通过夹持装置夹持U型靶框的开口处，进行捞膜，使得靶膜固定在U型靶框上；步骤S4，利用“点断法”将夹持装置与靶膜断开，得到所需U型自支撑靶膜。本发明突破了本领域技术人员的思维固式，创造性地想到了将夹持装置夹住U型靶框开口端，极大地降低了捞膜难度，提高了成功率。利用夹持装置将U型靶框开端口封闭变为封闭型靶框。采用本发明提供的U型自支撑靶膜的制备方法，该方法制备U型自支撑靶膜的效率高，捞膜成功率近100％，尤其是解决了传统的捞膜方法成功率不高于20％的技术缺陷。
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公开(公告)号：CN118981614A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410850704.1
申请日：2024-06-27
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明公开了一种实验数据和核反应机制结合分析的(n,p)截面评价方法，涉及核反应技术领域，该方法包括，包括以下步骤：S1、收集现有实验数据和评价数据；S2、对于实验数据覆盖的能区，使用基于辛普森悖论的差权分析法对实验数据进行分组、物理评价及权重分析，给出实验数据的评价结果；S3、对实验数据未覆盖的能区，采用(n,p)反应核反应机制物理条件对数据评价进行约束和补充，得到符合核反应机制的激发函数曲线范围；S4、对实验数据覆盖和未覆盖的能区分别处理，合理衔接得到激发函数曲线，与评价数据进行比对分析，并确定激发函数数据中心值和评价不确定度。本发明所提供的方法能够提高数据的准确性，澄清数据分歧，实现(n,p)反应截面准确快速评价。
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公开(公告)号：CN115453610B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210968019.X
申请日：2022-08-12
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G01T3/06
摘要： 本发明公开了一种中子全截面探测器及其探测方法，包括外壳、锂‑6闪烁体、锂‑7闪烁体，光电倍增管、遮光片，本发明根据锂‑6闪烁体、锂‑7闪烁体对中子去弹反应截面巨大的差异，但对伽马射线的响应几乎一致的性质，通过在同一探测器内使用锂‑6闪烁体、锂‑7闪烁体同时测量中子和伽马射线，精确扣除伽马射线本底；采用光电倍增管用于将闪烁体的光信号转换成电信号，进行数据采集；高富集度的锂‑7闪烁体，可在较宽的中子能量区间通过实验测定伽马射线本底的形状和结构，不再依赖Monte‑Carlo模拟，利用外壳前端窗的共振吸收精确定量两个能点的本底水平，仅使用相对归一即可得到整个能量区间的伽马射线本底计算得到中子全截面。
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公开(公告)号：CN116299648A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211661147.6
申请日：2022-12-23
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明公开了一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，采用基于SiC探测器的D‑T中子辐射场测量系统，可同时测量两种反应的伴随粒子，能谱上可区分，得到α粒子和质子的计数率；考虑了D‑T反应中由于靶沉积导致的D‑D反应的影响，获得D‑T、D‑D中子源的能谱和角分布，有效提升了能谱和角分布精确度；本发明的方法对伴随粒子的管道，光栅等靶管相关参数并无要求，操作简单，只需要测量一组数据即可得到全空间的能谱分布，不需要逐一测量不同角度，可对所有D‑T中子源进行测量；且本发明的方法可应用于在有伴随粒子通道预留的直流束或者脉冲束D‑T加速器中子源上，尤其对于靶上有氘束流沉积的情况下，可更为精确的获得D‑T中子源的能谱和角分布。
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公开(公告)号：CN115453610A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210968019.X
申请日：2022-08-12
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G01T3/06
摘要： 本发明公开了一种中子全截面探测器及其探测方法，包括外壳、锂‑6闪烁体、锂‑7闪烁体，光电倍增管、遮光片，本发明根据锂‑6闪烁体、锂‑7闪烁体对中子去弹反应截面巨大的差异，但对伽马射线的响应几乎一致的性质，通过在同一探测器内使用锂‑6闪烁体、锂‑7闪烁体同时测量中子和伽马射线，精确扣除伽马射线本底；采用光电倍增管用于将闪烁体的光信号转换成电信号，进行数据采集；高富集度的锂‑7闪烁体，可在较宽的中子能量区间通过实验测定伽马射线本底的形状和结构，不再依赖Monte‑Carlo模拟，利用外壳前端窗的共振吸收精确定量两个能点的本底水平，仅使用相对归一即可得到整个能量区间的伽马射线本底计算得到中子全截面。
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公开(公告)号：CN111741583B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010454669.3
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种一体化桌面式中子发生器。包括设置在移动柜(72)的桌面上的D+离子源和直管型的冷却液导流管(3)，冷却液导流管(3)的顶端设置高压输入模块(19)，尾端设置靶电极(6)；还包括直筒型的真空腔(5)，真空腔(5)的一端与D+离子源的尾端密封连接，另一端与冷却液导流管(3)的尾端密封连接，靶电极(6)在真空腔(5)内；高压输入模块(19)为靶电极(6)提供高压电，冷却液导流管(3)为靶电极(6)提供冷却，D+离子源向靶电极(6)发射D+离子束，使靶电极(6)上产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制。
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公开(公告)号：CN111741585B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010455719.X
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于标记中子束无损检测技术领域，具体涉及一种用于标记中子束无损检测的移动式D‑T中子发生器，包括通过加速管(6)连接的高频离子源系统(5)和真空系统及测量单元(7)，设置在真空系统及测量单元(7)上的关联束靶系统(8)，由高频离子源系统(5)产生并引出的D+离子束通过加速管(6)加速后轰击关联束靶系统(8)中的氚靶(68)，通过D‑T反应产生14MeV的中子，关联束靶系统(8)同时对中子的产生时间和位置的测量，实现对中子的出射时间和方向的标定；还包括控制高频离子源系统(5)和加速管(6)的控制系统。本发明是可适用于关联束中子照相应用的便携式D‑T中子发生器。
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公开(公告)号：CN111698822B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010455716.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种直立式中子发生器，包括设置在能够移动的主体机柜内的D+离子源和直管型的冷却液导流管，冷却液导流管垂直于地面，冷却液导流管的顶端设置高压输入模块，尾端设置靶电极，D+离子源位于靶电极下方；还包括直筒型的真空腔，真空腔的一端与冷却液导流管的尾端密封连接，另一端与D+离子源的尾端密封连接，靶电极位于真空腔内；还包括为真空腔抽真空的分子泵机组；高压输入模块为靶电极提供高压电，冷却液导流管为靶电极提供冷却，D+离子源向靶电极发射D+离子束，使得靶电极上产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制。
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公开(公告)号：CN111739674A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010454670.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种用于负高压加速的小型中子发生器的靶电极，包括由靶基座(2)和电极(6)组成的外表光滑的圆柱形的外壳体，设置在靶基座(2)上、位于外壳体内部的靶片(3)，靶基座(2)上设有冷却液通道(12)，电极(6)上设有束流通道(13)。该靶电极组装完成后是一个端面为圆弧状的圆柱，所有不规则结构和尖端都在靶电极内部，保证了电场分布的均匀性。该靶电极对二次电子的抑制效果好，尺寸小，功能全，靶片(3)上能承载3.5mA以上、能量为130keV的D+束流。
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公开(公告)号：CN103106940A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110358167.1
申请日：2011-11-14
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子物理技术领域，公开了一种高压倍加器的中子准直系统。该系统是由屏蔽体、通道、通道内准直器及探测器组成。在高压倍加器大厅的屏蔽体上开一个通道，通道内置有准直器，探测器位于实验大厅内与通道水平的方向上对样品出射中子束进行飞行时间谱测量。采用该系统能够屏蔽漫散射中子、提高效应本底比、准直中子束及实现多角度飞行时间谱的同时测量。
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